N沟道
功率MOSFET
看图1，输出特性
V
GS
15V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
SSH70N10A
如图2传输特性
[A]
I
D
，漏电流
[A]
上图：
10
2
10
2
I
D
，漏电流
175
o
C
10
1
10
1
25
o
C
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. V = 40 V
DS
3. 250
s脉冲测试
6
8
10
@注意事项：
1. 250
s脉冲测试
2. T = 25
o
C
C
10
0
10
-1
10
0
10
1
- 55
o
C
10
0
2
4
V
DS
，漏源电压[V]
[A]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻与漏电流
R
DS （ ON）
, [ ]
漏源导通电阻
00
.3
V
GS
= 10 V
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
I
DR
，反向漏电流
1
2
0
00
.2
V
GS
= 20 V
00
.1
1
1
0
1 5
o
C
7
2
o
C
5
1
0
0
04
.
06
.
08
.
10
.
12
.
14
.
16
.
@Nts ：
oe
1 V
GS
= 0 V
.
2 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
18
.
20
.
22
.
24
.
26
.
@ N吨：T已
J
= 25
o
C
oe
00
.0
0
50
10
0
10
5
20
0
20
5
30
0
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容与漏源电压
80
00
C
国际空间站
= C
gs
+ C ( C
ds
= S 0吨四）
HRE
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
图6.栅极电荷与栅源电压
[V]
[ pF的]
V
GS
，栅源电压
C
RSS
= C
gd
60
00
C
国际空间站
1
0
V
DS
= 2 V
0
0
V
DS
= 5 V
V =8 V
0
DS
电容
40
00
C
OSS
@Nts ：
oe
1 V
GS
= 0 V
.
2 F = 1MZ
.
H
5
20
00
C
RSS
@Nts ： I = 00A
oe
D
7.
0
0
2
0
4
0
6
0
8
0
10
0
10
2
10
4
10
6
0
0
1
0
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
