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K6F8016T6C家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=30pF+1TTL
初步
CMOS SRAM
V
TM
3)
R
1
2)
C
L
1)
R
2
2)
1.包括范围和夹具电容
2. R
1
=3070
,
R
2
=3150
3. V
TM
=2.8V
AC特性
（ VCC = 2.7 3.3V ，工业产品：T已
A
= -40 85 ℃）下
速箱
参数表
符号
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
UB ， LB访问时间
读
芯片选择低阻抗输出
UB ， LB启用以低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
UB ， LB禁用高Z输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
UB ， LB有效到结束写入的
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
BA
t
LZ
t
BLZ
t
OLZ
t
HZ
t
BHZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55
-
-
-
-
10
10
5
0
0
0
10
55
45
0
45
45
40
0
0
25
0
5
55ns
最大
-
55
55
25
55
-
-
-
20
20
20
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
民
70
-
-
-
-
10
10
5
0
0
0
10
70
60
0
60
60
50
0
0
30
0
5
70ns
最大
-
70
70
35
70
-
-
-
25
25
25
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
测试条件
CS
1
≥Vcc-0.2V
1)
VCC = 1.5V ， CS
1
≥Vcc-0.2V
1)
看到数据保存波形
民
1.5
-
0
TRC
典型值
2)
-
1.0
-
-
最大
3.6
6
-
-
单位
V
A
ns
1. 1 ） CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V(CS
1
控制）或
2 ） 0≤CS
2
≤0.2V(CS
2
控制）
2.典型值是在T测
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
5
修订版0.0
2003年7月
