ST52T301/E301
3 EPROM
在易宝M存储器提供了一个片
用户可编程的非易失性存储器，即
允许用户数据的快速，可靠的存储。
有16K比特的存储空间具有一个8位的
内部并行（ 2K字节）处理由
11位总线。数据总线是8位。
该存储器具有双重电源： V
PP
等于
12V的编程阶段和5V ± 5 ％ ±10 ％
工作Phase.V期间
DD
等于5V±10 ％。
ST52x301的EPROM存储器被划分在
三个主要的模块（参见图3.1 ） ：
Mbfs与设置（ 0 191 ）中包含的
坐标每MBF的定义顶点的
在程序中。
中断向量（ 192至201 ），包含
地址中断例程。
每个地址是由两个字节。
程序指令集（ 202到2048）
包含指令集的用户程序的。
它可以由多个布尔和模糊组成
算法
这可以在被执行时，操作
编程阶段，在EPROM是：写作，
验证，写作抑制，待机和擦除。
图ú重3 。 2中文OWS吨电子旗下IGN一个LS吨爱民克
编程模式。
图3.1 。存储器映射
2048
模糊算法
3.1 EPROM编程阶段过程
编程模式通过AP合股
12V ±5 ％的电压至V
PP
引脚和设定控制
信号如下：
RESET ： 0 ， TEST ： 0 ，模式：1 。
CADD ， ERES ， OE和CE的控制信号
在编程模式中使用。 CADD是
活跃的边缘，其余的都是活跃在一级（ OE ，
CE为低电平有效， ERES是高电平有效） 。
3.1.1 EPROM写作
当存储器是空的，所有的位都处于逻辑
电平“1”。该数据通过编程介绍
唯一的零点在所需的内存位置;
然而所有的输入数据必须同时包含“1”和
”0”.
改变为“0”到“1”的唯一方法是抹掉
整个存储（通过暴露在紫外线光）
和重新编程。
内存写作模式时：
CE =低
OE =高
与数据总线P稳定的数据（0 ：7）。
总编程脉冲宽度（ CE = 0 V ）是，
通常情况下， 50
s
（由5个脉冲的10装置
s),
但
beforeactivating这种脉冲，建议等待
为至少2个
s
经过V
PP
上升为12 V 。后
脉冲disactivation ，建议等待
布尔算法
· ··· ··
模糊算法
节目
InstructionsSet
布尔算法
202
201
192
191
INT_EXT
INT_TRIAC
INT_TIMER
INT_SCI
INT_ADC
中断向量
MBF参数
Mbfs设置
0
21/99
