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LH28F400SU-NC
4M （ 512K × 8 ， 256K × 16 ）快闪记忆体
引脚说明
符号
TYPE
名称和功能
字节选择的地址：
高字节和低字节之间进行选择时，设备处于
x8模式。此地址锁存X8数据写入。不使用在x16模式（即，该
DQ
15
/A
-1
输入缓冲器被关断时，字节为高） 。
WORD -选择地址：
选择一个16K块中的字。这些
地址锁存过程中的数据写入。
BLOCK -选择地址：
选择1的32擦除块。这些地址是
锁定在数据写入，擦除和锁定块操作。
低字节数据总线：
期间，CUI写周期的输入数据和命令。
在适当的阅读模式输出数组，缓冲区，标识或状态的数据。
浮时的芯片将被取消选择或输出被禁止。
高字节数据总线：
在x16的数据写入操作的输入数据。输出
阵，缓冲或在适当的阅读模式标识符的数据;不使用状态
寄存器读。浮时的芯片将被取消选择或输出被禁止。
DQ
15
/A
-1
是的地址。
芯片使能输入：
激活设备控制逻辑，输入缓冲器，解码器
和读出放大器。 CE
必须为低来选择设备。
RESET / POWER- DOWN ：
随着RP
低时，该装置被复位时，所有目前操作是
中止和设备进入深度掉电模式。当电源
开机后， RP
引脚变为低电平，以返回设备默认设置就能
成形。当发生电源过渡，或开/关，反相电源
is
留低，以保护数据免受噪声的要求。当从返回深
掉电， 430 ns的恢复时间需要允许这些电路电源
了。当RP
变低时，任何当前或未决WSM操作（S ）被终止，
和设备复位。所有状态寄存器返回就绪（所有状态标志
清零） 。返回后，该装置是在读阵列模式。
OUTPUT ENABLE ：
通过输出缓冲器门电路装置的数据时低。该
输出浮动时，三态关闭OE
为高。
写使能：
控制访问CUI ，数据队列寄存器和地址
队列锁存器。 WE为低电平有效，并锁存地址和数据（命令或
阵列）在其上升沿。
READY / BUSY ：
表示内部WSM的状态。当低，则表示该
WSM正忙于进行操作。当WSM等待新的操作或
擦除暂停或设备处于深度掉电模式RY
/ BY
引脚悬空。
字节使能
：在x8模式BYTE低的地方的设备。所有数据被输入或
在DQ输出
0
- DQ
7
和DQ
8
- DQ
15
浮动。地址
-1
高之间的选择
字节和低字节。 BYTE高处的设备在x16模式，并关闭了A
-1
输入缓冲器。地址
0
时，则变为最低阶地址。
擦/写电源（ 5.0 V± 0.5 V ） ：
擦除存储器阵列块
或写字/字节到闪存阵列。
器件电源（ 3.3 V± 0.3 V ） ：
不要留下任何电源引脚悬空。
地面所有内部电路：
不要留下任何接地引脚悬空。
无连接：
无内部连接就不行了，铅可被驱动或悬空。
DQ
15
- A
-1
输入
A
0
- A
12
A
13
- A
17
输入
输入
DQ
0
- DQ
7
输入/输出
DQ
8
- DQ
15
输入/输出
CE
输入
RP
输入
OE
输入
WE
输入
RY
/ BY
漏极开路
产量
字节
输入
V
PP
V
CC
GND
NC
供应
供应
供应
4
