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4M （ 512K × 8 ， 256K × 16 ）快闪记忆体
LH28F400SU-NC
擦除和字节写入性能
V
CC
= 5.0 V± 0.5 V ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C
符号
参数
典型值。
(1)
分钟。
马克斯。
单位
测试条件
记
t
WHRH1
t
WHRH2
t
WHRH3
t
WHRH4
t
WHRH5
t
WHRH5
字节写入时间
两个字节的串行写入时间
字写时间
16KB的块写入时间
16KB的块写入时间
16KB的块写入时间
块擦除时间（ 16KB ）
整片擦除时间
13
20
20
0.22
0.17
0.17
0.6
8.8 - 14.4
1.0
1.0
1.0
10
s
s
s
s
s
s
s
s
字节写模式
两个字节的串行写模式
字写模式
2
2, 3
2, 4
2
2, 3
2, 4
2
2, 5
注意事项：
1， 25 ° C，V
PP
= 5.0 V采样。
2.不包括系统级的开销。
3.两字节串行写入模式是唯一的X8位配置有效。
4，字写模式是唯一的X16位配置有效。
5.取决于受保护的块的数目。
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