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'97.4.7
三菱的LSI
M5M5256DP , KP , FP ,副总裁, RV -45LL -W , -55LL -W , -70LL -W ,
-45XL-W,-55XL-W,-70XL-W
262144 - BIT ( 32768 -字×8位)的CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
参数
电源电压
VCC
V
I
V
O
P
d
T
OPR
T
英镑
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
条件
相对于GND
Ta=25°C
评级
-0.3
*
~7.0
-0.3
*
~Vcc+0.3
(最多7.0 )
单位
V
V
V
mW
°C
°C
0~Vcc
700
-20~70
-65~150
* -3.0V的情况下交流(脉冲宽度
为30ns )
DC电气特性
符号
V
IH
V
IL
V
OH1
V
OH2
V
OL
I
I
I
O
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压1
高电平输出电压2
低电平输出电压
输入电流
输出电流在关断状态
主动电源电流
( AC , MOS级)
(大= -20 70°C , VCC = 5V ±10 % ,除非另有说明)
测试条件
范围
2.2
-0.3
典型值
最大
VCC
+0.3
单位
V
V
V
V
0.8
I
OH
=-1mA
I
OH
=-0.1mA
I
OL
=2mA
V
I
=0
~
VCC
/ S = V
IH
或或/ OE = V
IH
,
V
I / O
=0
~
VCC
45ns
/S≤0.2V,
其他inputs<0.2V或>Vcc - 0.2V 55ns
输出开敏。周期
70ns
/ S = V
IL
,
其他输入= V
IH
或V
IL
输出开敏。周期
/S≥Vcc-0.2V,
其他输入= 0 Vcc的
/ S = V
IH
,其它输入= 0
~
VCC
45ns
55ns
70ns
-LL
-xl
2.4
VCC
-0.5
0.4
±1
±1
35
30
25
35
30
25
50
45
40
55
50
45
20
0.1
5
3
V
uA
uA
ICC
1
mA
ICC
2
主动电源电流
(交流, TTL电平)
mA
ICC
3
ICC
4
待机电流
待机电流
uA
mA
* -3.0V的情况下交流(脉冲宽度
为30ns )
电容
符号
C
I
C
O
(大= -20 70°C , VCC = 5V ±10 % ,除非另有说明)
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
I
= GND ,V
I
= 25mVrms , F = 1MHz的
V
O
= GND ,V
O
= 25mVrms , F = 1MHz的
范围
TYP MAX
6
8
单位
pF
pF
注0 :方向为电流流入到一个集成电路是正的(无标记) 。
1 :典型值是在TA = 25 ℃。
2: C
I
, C
O
是周期性采样,不100 %测试。
三菱
3

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