AT86RF211
注册接口格式
一则消息是由3个字段：
–
–
–
针对A [ 3 ： 0 ] ： 4位（ MSB在前）
R / W ：读/写选择
数据D [ 31 ： 0 ] ：高达32位（ MSB在前）
地址
A[3]
A[2]
A[1]
A[0]
读/写
读/写
最高位
数据达32位（长度可变）
D [ n位- 1：0]
最低位
变量寄存器的长度和部分读或写周期的支持。
在壳体的局部的读或写周期中，所述第一数据（或缩小）总是的最高位
注册。
写模式（R / W = 1 ）
地址，R / W和数据位在SCK的上升沿。
如果数据位的数目是比寄存器容量低，最低有效位保持其
前值使安全部分写入。如果数据位的数量大于所述稳压
存器的容量，该附加的位被忽略。
该数据实际写入到寄存器对SLE的上升沿数据时
长度小于或等于寄存器长度。
当试图写入比寄存器长度的数据，数据字段被写入在所述第一
关于寄存器的长度额外的时钟上升沿。
图29 。
写记时：完成写周期在10位寄存器
SLE
SCK
SDATA
A[3]
A[2]
A[1]
A[0]
读/写
D[9]
D[8]
D[7]
D[6]
D[5]
D[4]
D[3]
D[2]
D[1]
D[0]
10位的完整寄存器更新于SLE的上升沿。
图30 。
写记时：部分写周期，写2位
SLE
SCK
SDATA
A[3]
A[2]
A[1]
A[0]
读/写
D[31] D[30]
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1942C–WIRE–06/02
