
无引线芯片LED器件
LT1t67A系列
LT1t67A系列
s
外形尺寸
(单位:毫米)
1608尺寸,厚度为0.8mm ,
无引线芯片LED器件
s
辐射方向图
(T
a
=25C)
±0.15
-20
1.6
±0.15
0
100
相对发光强度(%)
+20
+40
0.8
0.8
-40
80
60
+60
40
20
0
X
1
2
用于焊接推荐PWB模式
1.2
1.0
0.5
0.8
0.85
0.8
设备中心
0.8
-60
-80
+80
0.3
-20
-40
相对发光强度(%)
1.Plating区
抵制
2.Pin连接
1阴极
2阳极
1
3.Unspecified公差: ± 0.1
0
100
80
60
+20
+40
(0.3)
(0.4)
(0.3)
2
-60
+60
40
20
0
Y
(0.3)
片方大关
-80
+80
U型:有设备上的负极标志,因为极性面的
相反的方向。
s
绝对最大额定值
功耗正向电流峰值正向电流
P
I
F
I
FM*1
型号颜色辐射材料辐射
( mW)的
(MA )
(MA )
(T
a
=25C)
降额因子反向电压工作温度储存温度焊接温度
(毫安/ C )
V
R
T
OPR
T
英镑
T
sol*2
(V)
(C)
(C)
(C)
直流脉冲
-30至+85
-30至+85
-30至+85
-30至+85
-30至+85
-30至+85
-30至+85
-30至+85
-40至+100
-40至+100
-40至+100
-40至+100
-40至+100
-40至+100
-40至+100
-40至+100
350
350
350
350
350
350
350
350
4
0.40 0.67
50
30
75
LT1U67A
红(超亮度)在砷化镓铝砷化镓铝
5
0.13 0.67
50
10
23
GAP
LT1P67A
红
5
0.40 0.67
50
30
84
砷化镓上的GaP
LT1D67A
红
5
0.40 0.67
50
30
84
LT1S67A
日落橙色的GaAsP上的GaP
5
0.40 0.67
50
30
84
砷化镓上的GaP
LT1H67A
黄
5
0.40 0.67
50
30
84
LT1E67A
黄绿色的GaP
5
0.40 0.67
50
30
84
LT1F67A
黄绿色(高亮度)的GaP
5
0.67
0.40
50
30
84
GAP
LT1K67A
绿色
* 1占空比= 1 /10,脉冲宽度= 0.1毫秒
* 2 3秒或更少的手工焊接的温度。回流焊接的温度显示在以下页面上。
s
光电特性
镜头类型
型号
正向电压
V
F
(V)
典型值
1.85
1.9
2.0
2.0
2.0
2.1
2.1
2.1
最大
2.5
2.3
2.8
2.8
2.8
2.8
2.8
2.8
峰值发射波长
I
F
λ
p
(纳米)
(MA )
典型值
20
660
5
695
20
635
20
610
20
585
20
565
20
570
20
555
发光强度
I
F
I
V
( MCD )
(MA )
典型值
20
29.7
5
1.3
20
8.8
20
6.9
20
8.3
20
11.0
20
19.0
20
3.8
光谱辐射带宽
I
F
Δλ ( nm)的
(MA )
典型值
20
20
5
100
20
35
20
35
20
30
20
30
20
30
20
25
反向电流
V
R
I
R
(A)
(V)
最大
3
100
4
10
4
10
4
10
4
10
4
10
4
10
4
10
终端电容
C
t
(PF )
典型值
25
55
20
15
35
35
35
40
(T
a
=25C)
页面
特征
( MH
Z
)
图表
→
1
→
1
→
1
→
1
→
1
→
1
----
1
→
1
LT1U67A
LT1P67A
LT1D67A
乳白色
LT1S67A
扩散
LT1H67A
LT1E67A
LT1F67A
LT1K67A
(公告)
In
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在使用任何夏普元器件之前获取最新的设备特定网络阳离子表中产品目录,数据手册等所刊载的设备。
(互联网)
数据
对于夏普的光电/功率器件提供互联网(网址http://www.sharp.co.jp/ecg/ )
95