芯片LED器件
LT1t53A系列
LT1t53A系列
s
外形尺寸
（单位：毫米）
3.3 ！ 2.9毫米， 1.1毫米厚度，
银河扩散芯片LED器件
s
辐射方向图
(T
a
=25C)
3.3
银河扩散
-30
-40
-20
-10
0 100 +10
100
+20
+30
+40
-50
相对发光强度（％）
80
+50
60
2.9
1.9
0.4
0.4
0.4
0.85 0.95
1
2
0.6
2.9
-60
+60
40
+70
20
+80
(4-R0.2)
0.9
+0.1
0.16
-0.06
-70
1.5
0.9
(R0.2)
-80
-90
+90
0
0.8
(0.3) (0.3)
(0.3)
0to0.15
0.3
(0.3)
引脚连接
1阳极
2阴极
未指定公差： ± 0.2
s
绝对最大额定值
功耗正向电流峰值正向电流
P
I
F
I
FM*1
型号颜色辐射材料辐射
（ mW）的
（MA ）
（MA ）
LT1P53A
LT1D53A
LT1S53A
LT1H53A
LT1E53A
LT1K53A
红
红
日落橙色
黄
黄绿色
绿色
GAP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
GAP
GAP
23
85
85
50
50
50
10
30
30
20
20
20
50
50
50
50
50
50
1.1
-0.1
+0.2
(T
a
=25C)
降额因子反向电压工作温度储存温度焊接温度
（毫安/ C ）
V
R
T
OPR
T
英镑
T
sol*2
(V)
(C)
(C)
(C)
直流脉冲
0.13
0.40
0.40
0.27
0.27
0.27
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
0.67
5
5
5
5
5
5
-25至+85
-25至+85
-25至+85
-25至+85
-25至+85
-25至+85
-25至+100
-25至+100
-25至+100
-25至+100
-25至+100
-25至+100
350
350
350
350
350
350
* 1占空比= 1 /10，脉冲宽度= 0.1毫秒
* 2 3秒或更少的手工焊接的温度。回流焊接的温度显示在以下页面上。
s
光电特性
正向电压
V
F
(V)
典型值
1.9
2.0
2.0
1.9
1.85
1.95
最大
2.3
2.8
2.8
2.5
2.5
2.5
峰值发射波长
I
F
λ
p
（纳米）
（MA ）
典型值
5
695
20
635
20
610
10
585
10
565
10
555
发光强度
I
F
I
V
（ MCD ）
（MA ）
典型值
5
1.4
20
9.6
20
7.8
10
3.7
10
4.8
10
2.2
光谱辐射带宽
I
F
Δλ （ nm）的
（MA ）
典型值
5
100
20
35
20
35
10
30
10
30
10
25
反向电流
V
R
I
R
(A)
(V)
最大
4
10
4
10
4
10
4
10
4
10
4
10
终端电容
C
t
（PF ）
典型值
55
20
15
35
35
40
(T
a
=25C)
页面
特征
（ MH
Z
)
图表
→
1
→
1
→
1
→
1
→
1
→
1
镜头类型
型号
LT1P53A
LT1D53A
乳白色
LT1S53A
扩散
LT1H53A
LT1E53A
LT1K53A
In
没有确认元器件规格说明书中，夏普需要使用任何夏普设备可能出现的任何缺陷承担责任
在使用任何夏普元器件之前获取最新的设备特定网络阳离子表中产品目录，数据手册等所刊载的设备。
（互联网）
数据
对于夏普的光电/功率器件提供互联网（网址http://www.sharp.co.jp/ecg/ ）
（公告）
99
