飞利浦半导体
产品speci fi cation
双缓冲/线路驱动器;三态
特点
宽电源电压范围为2.0 6.0 V
对称的输出阻抗
高噪声抗扰度
低功耗
平衡传输延迟
非常小的8引脚封装
输出能力：公交车司机
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
从指定的
40
+85
°C
和
40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
6.0纳秒。
74HC2G125 ; 74HCT2G125
描述
该74HC2G / HCT2G125是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74HC2G / HCT2G125提供了一个非反相
缓冲/线路驱动器，具有三态输出。三态输出
由输出使能输入引脚（ OE）的控制。为高电平时
销OE使输出呈现一个高阻抗
关断状态。
相比于总线驱动器输出电流相等
74HC/HCT125.
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
O
C
PD
参数
传播延迟nA至纽约
输入电容
输出电容
每个功率耗散电容
卜FF器
输出使能;注1和2
输出禁用;注1和2
条件
HC2G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
10
1.0
1.5
11
1
HCT2G
12
1.0
1.5
11
1
ns
pF
pF
pF
pF
单位
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于74HC2G125的条件为V
I
= GND到V
CC
.
对于74HCT2G125的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
2003 3月03
2
