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初步T4312816A
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阅读&写周期在同一家银行@Burst长度= 4
IG
* N TE1
t
R C
t
R C
RAS
* N TE2
CAS
ADDR
Ra
A0
Rb
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BA
A 1 0 / A P
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CL=2
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* N TE3
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B1
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平负
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中文
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平负
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中文
WE
DQM
流
A C TIV E（ A -
B ANK ）
EAD （ A -
B ANK ）
P言语报ARG
E（ A -
B ANK ）
R 0瓦特A C TIV ê
（A -B AK ）
W仪式（ A -
B NAK ）
P言语报ARG ê
（ A- B·N AK ）
： D 2 O N' T C A R é
*注： 1.最小行周期时间是requiqed完成内部DRAM操作。
2.行预充电可以中断突发在任何周期。 [ CAS延时-1]有效输出数据的数目是
行预充电后可用。最后的有效输出将是高阻（
t
SHZ
）钟后。
从行激活命令3.访问时间。
t
CC
*(
t
RCD
+ CAS延迟- 1 ） +
t
SAC
4.输出将是高阻脉冲结束后（ 1,2,4,8位脉冲串）
一阵无法在全页模式结束。
TM科技公司保留权利
P.16
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：四月2003
修订： 0.B
