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奥斯汀半导体公司
1M ×1的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-92316
MIL -STD- 883
MT5C1001
有限
引脚分配
（ TOP VIEW ）
SRAM
28引脚DIP （C ）
（ 400 MIL ）
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
A16
A17
A18
A19
Q
WE \\
VSS
1
2
3
4
5
6
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18
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15
VCC
A9
A8
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NC
A3
A2
A1
A0
D
CE \\
32引脚LCC （ EC）
32引脚SOJ （ DCJ ）
A10
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Q
WE \\
VSS
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VCC
NC
A9
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NC
A2
NC
A1
A0
D
CE \\
特点
高速：20， 25 ，35，和45
备用电池： 2V的数据保留
低功耗待机
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
轻松扩展内存通过CE \\和OE \\选项。
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
32引脚扁平封装（F ）
选项
时机
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
包（ S）
陶瓷DIP （ 400密耳）
陶瓷LCC
陶瓷扁平
陶瓷SOJ
记号
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
A10
A11
A12
NC
A13
A14
A15
NC
A16
A17
A18
A19
NC
Q
WE \\
VSS
1
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VCC
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
NC
A2
NC
A1
A0
D
CE \\
C
EC
F
DCJ
第109号
207号
303号
501号
概述
该MT5C1001采用低功耗，高性能
硅栅CMOS技术。静电设计，消除了
无需外部时钟或定时选通，而CMOS电路
降低了功耗，并提供了更大的
可靠性。
对于在高速存储器应用， ASI灵活性
提供芯片使能（ CE \\ ）和输出使能（ OE \\ ）的能力。
这些增强功能可将输出高-Z的额外
tional灵活的系统设计。写入这些设备是
有成就的时候写使能（WE | ）和CE \\输入都
低。阅读时，我们会\\完成时保持高电平
CE \\和OE \\变为低电平。该器件提供了降低功耗
待机模式时禁用。这使得系统的设计，以
实现低待机功耗要求。
为“L”版本提供一个近似50％的
减少的CMOS待机电流（I
SBC2
）在标准
版本。
从单一+ 5V电源供电的所有设备的操作
和所有输入和输出完全TTL兼容。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
2V数据保存/低功耗
L
*相同的那些规定的电气特性
为45nS接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C1001
2.0版本2/00
1
