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AS7C33256FT18B
写使能真值表（每字节）
功能
写的所有字节
GWE
L
H
BWE
X
L
L
L
H
L
BWA
X
L
L
H
X
H
BWB
X
L
H
L
X
H
写字节A
写字节B
读
H
H
H
H
KEY：
X =无关，L =低， H =高， N = A，B ;
BWE
,
BWN
=内部写信号。
异步真值表
手术
贪睡模式
读
写
取消
ZZ
H
L
L
L
L
OE
X
L
H
X
X
I / O状态
高-Z
DOUT
高-Z
DIN，高Z
高-Z
注意事项：
1， x表示“不关心”
2. ZZ引脚被拉低国内
3.对于写周期后面的读周期中，输出缓冲器必须使用OE被禁止，否则将发生数据总线争用。
4.贪睡模式是指断电状态，其中待机电流不依赖于周期
5.取消选中表示掉电状态，其中待机电流取决于周期
突发序列表
交错突发地址（ LBO = 1 ）
A1 A0
1
st
地址
2
nd
地址
3地址
4地址
th
rd
线性猝发地址（LBO = 0）
A1 A0
11
10
01
00
1
st
地址
2
nd
地址
3地址
4地址
th
rd
A1 A0
01
00
11
10
A1 A0
10
11
00
01
A1 A0
00
01
10
11
A1 A0
01
10
11
10
A1 A0
10
11
00
01
A1 A0
11
00
01
10
00
01
10
11
12/10/04; v.1.4
半导体联盟
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