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K6F3216T6M家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
2.7
0
2.2
-0.2
3)
典型值
3.0/3.3
0
-
-
CMOS SRAM
最大
3.6
0
Vcc+0.3
2)
0.6
单位
V
V
V
V
注意:
1. T
A
= -40 85 ℃,特别说明
2.过冲: V
CC
+ 2.0V的情况下,脉冲宽度的
≤20ns.
3.冲: -2.0V的情况下脉冲宽度的
≤20ns.
4.过冲和下冲进行采样,而不是100 %测试。
电容
1)
( F = 1MHz的,T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样,而不是100 %测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
符号
测试条件
V
IN
= VSS到Vcc
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
或LB = UB = V
IH
,
V
IO
= VSS到Vcc
周期时间= 1μs的时间, 100 %的关税,我
IO
= 0毫安, CS
1
≤0.2V,
LB≤0.2V
或/和UB≤0.2V , CS
2
≥Vcc-0.2V,
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
-0.2V
周期时间=最小,我
IO
= 0毫安, 100 %的关税, CS
1
=V
IL
,
CS
2
=V
IH
, LB = V
IL
或/和UB = V
IL
, V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
其他输入= 0 Vcc的
1 ) CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V(CS
1
控制)或
2 ) 0V≤CS
2
≤0.2V(CS
2
控制)
70ns
55ns
民
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
典型值
1)
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
7
35
40
0.4
-
40
单位
A
A
mA
mA
V
V
A
I
LI
I
LO
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流( CMOS )
V
OL
V
OH
I
SB1
1.典型值是在V测
CC
= 3.0V ,T
A
= 25°C ,而不是100 %测试。
4
修订版1.0
2002年11月