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K6F3216T6M家庭
写周期时序波形（ 3 ）
（ UB ， LB控制）
t
WC
地址
t
CW(2)
CS
1
t
AW
CS
2
UB ， LB
t
BW
t
AS(3)
t
WP(1)
WE
t
DW
DATA IN
数据有效
t
DH
t
WR(4)
CMOS SRAM
数据输出
笔记
（写周期）
高-Z
高-Z
1. WRI
t
在重叠（ T E时
WP
）低CS
1
低WE 。一开始写的时候CS
1
变低， WE变低与主张
UB或LB单字节操作或同时主张UB和LB为双字节操作。在最早的转录写结束
习得当CS
1
变高和WE为高电平。经t
WP
从写入的开始写的末端测量。
2. t
CW
是从CS测量
1
变低，以写的末尾。
3. t
AS
从地址有效到写的开始测量的。
4. t
WR
从写入地址变更的端部测量的。吨
WR
与CS的情况下被应用写入结束
1
或者我们要高。
数据保存波形
CS
1
控制
V
CC
2.7V
t
SDR
数据保持方式
t
RDR
2.2V
V
DR
CS
1
≥V
CC
- 0.2V
CS
1
GND
CS
2
控制
V
CC
2.7V
CS
2
t
SDR
数据保持方式
t
RDR
V
DR
0.4V
GND
CS
2
≤0.2V
8
修订版1.0
2002年11月
