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K6F3216T6M家庭
特点
工艺技术：全CMOS
组织： 2M X16
电源电压： 2.7 3.6V
低数据保持电压： 1.5V （最小值）
三态输出
封装类型： 55 - TBGA - 7.50x12.00
CMOS SRAM
概述
该K6F3216T6M家庭是由三星公司制造
先进的全CMOS工艺技术。家庭支持
工业工作温度范围，并有芯片级
包装系统设计的用户灵活性。家属还
支持低数据保持电压为电池备份操作
低数据保持电流。
2M ×16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
产品系列
功耗
产品系列
K6F3216T6M-F
工作温度
Industrial(-40~85°C)
VCC范围
2.7~3.6V
速度
55
1)
/70ns
待机
(I
SB1
马克斯。 ）
40A
操作
(I
CC1
，最大值）
7mA
PKG型
55-TBGA-7.50x12.00
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N.C
N.C
VCC
VSS
ROW
地址
N.C
LB
OE
A0
A1
A2
CS2
ROW
SELECT
内存
CELL
ARRAY
I/O9
UB
A3
A4
CS1
I/O1
I/O10
I/O11
A5
A6
I/O2
I/O3
I / O
1
-I / O
8
VSS
I/O12
A17
A7
I/O4
VCC
数据
CONT
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
VCC
I/O13
N.C
A16
I/O5
VSS
I / O
9
-I / O
16
I/O15
I/O14
A14
A15
I/O6
I/O7
I/O16
A19
A12
A13
WE
I/O8
列地址
A18
A8
A9
A10
A11
A20
CS1
CS2
N.C
N.C
N.C
N.C
OE
WE
UB
LB
控制逻辑
55 TBGA ：俯视图（球下）
名字
CS
1
， CS
2
OE
WE
A
0
~A
20
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
名字
VCC
VSS
UB
LB
N.C
功能
动力
地
高字节（ I / O
9
~
16
)
低字节（ I / O
1
~
8
)
无连接
I / O
1
-I / O
16
数据输入/输出
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版1.0
2002年11月
