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MB84VD22386/387/388EJ-85/90/MB84VD22396/397/398EJ-85/90
s
擦除和编程性能（闪光）
参数
扇区擦除时间
字编程时间
芯片编程时间
擦除/编程周期
价值
民
—
—
—
100,000
典型值
1
16
—
—
最大
10
360
200
—
单位
s
s
s
周期
备注
不包括编程时间前擦除
不包括系统级的开销
不包括系统级的开销
s
数据保持特性（ FCRAM ）
参数
V
CCS
数据保持电源
电压
符号
V
DR
条件
CE1S = CE2s
≥
V
CC
秒 - 0.2 V或，
CE1S = CE2s = V
IH
2.3 V
≤
V
CC
s
≤
2.7 V,
V
IN
= V
IH
*或V
IL
CE1S = CE2s = V
IH
*
,
I
OUT
= 0毫安
2.3 V
≤
V
CC
s
≤
2.7 V,
V
IN
≤
0.2 V或V
IN
≥
V
CC
秒 - 0.2 V ，
CE1S = CE2s
≥
V
CC
秒 - 0.2 V ，
I
OUT
= 0毫安
2.7 V
≤
V
CC
s
≤
3.1 V
在数据保留入学
2.7 V
≤
V
CC
s
≤
3.1 V
数据保存后，
—
价值
民
2.3
典型值
—
最大
3.1
单位
V
I
DR
V
CCS
数据保持电源
当前
I
DR1
—
0.5
1
mA
—
—
70
A
数据保存时间设置
数据保存恢复时间
V
CCS
电压转换时间
*: 2.0 V
≤
V
IH
≤
V
CC
S + 0.3 V
t
DRS
t
DRR
ΔV / ΔT
0
90
0.5
—
—
—
—
—
—
ns
ns
V / μs的
57
