ZiLOG公司
Z86E04/E08
CMOS Z8 OTP微控制器
ROM保护。
ROM充分保护保护Z86E04 / E08
从ROM代码从外部读取。当ROM保护
被选中，说明最不发达国家和LDCI
支持
（ Z86E04 / E08和Z86C04 / C08不支持的指令
LDE和LDEI的系统蒸发散） 。当对器件进行编程
对于ROM保护，低噪音功能将不会automati-
美云被启用。
在嘈杂的环境使用设备时请注意
精神疾病，它被认为在EPM和CE的电压
引脚被钳位到V
CC
通过一个二极管与V
CC
为防止
不小心进入OTP模式。在V
PP
需要
既是一个二极管和一个100 pF电容。
自动锁禁用。
自动锁存器禁用选项位时，
程序将在全球关闭所有自动门锁。
WDT启用。
该WDT Enable选项位，亲的时候
编程，将有硬件使能永久
退出复位后使能WDT ，不能在停止
暂停或停止模式。
EPROM /测试模式禁用。
在EPROM /测试模式
禁用选项位，编程时，将禁用
EPROM模式和工厂测试模式。读书， veri-
fying以及编程的Z8将被禁用。为了充分
验证此模式被禁用，该设备必须是动力
循环。
用户模式。
表7示出的编程电压
Z86E04 / E08的每个模式。
表7. OTP编程表
低EMI辐射
该Z86E04 / E08可以工作在低操作
EMI辐射（低噪音）模式由EPROM的方式
可编程的位选。使用此功能结果：
s
s
s
1
在HALT模式下电流小于1mA消耗。
所有司机杀率降低到10纳秒（典型值） 。
内部SCLK / TCLK = XTAL操作仅限于
最高为4 MHz - 250 ns的周期时间。
输出驱动器具有500欧姆（典型值）的电阻。
s
s
振荡器除以2的电路消除了。
该Z86E04 / E08提供了可编程的ROM和保护
可编程低噪声特性。当编程
低噪音，该ROM保护功能是可选的。
除了V
DD
和GND （V
SS
），则Z86E04 / E08升级变更
ES在EPROM模式下所有的引脚功能。 XTAL2没有
功能， XTAL1功能/ CE ， P31的功能/ OE ，
P32作为EPM ， P33作为V
PP
和P02
功能/ PGM 。
编程模式
EPROM READ1
EPROM READ2
节目
程序校验
EPROM PROTECT
低噪音，请选择
AUTO LATCH DISABLE
WDT打开
EPROM / TEST MODE
V
PP
NU
NU
V
H
V
H
V
H
V
H
V
H
V
H
V
H
EPM
V
H
V
H
X
X
V
H
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
/ CE
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
H
V
H
V
H
V
H
V
H
/ OE
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
/ PGM
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
ADDR
ADDR
ADDR
ADDR
ADDR
NU
NU
NU
NU
NU
数据
OUT
OUT
In
OUT
NU
NU
NU
NU
NU
V
CC
*
4.5V
5.5V
6.4V
6.4V
6.4V
6.4V
6.4V
6.4V
6.4V
注意事项：
1. V
H
=13.0V
±
0.25 V
DC
.
2. V
IH
=根据具体Z8直流规范。
3. V
IL
=根据具体Z8直流规范。
4. X =未使用，但必须设定为V
H
或V
IH
的水平。
5. NU =未使用，但必须设置在V
IH
或V
IL
的水平。
6. I
PP
在编程过程中= 40 mA（最大值） 。
7. I
CC
在编程过程中，验证或读= 40 mA（最大值） 。
8. * V
CC
每一个的允差
±-
0.25V.
9. V
CC
= 5.0V是可以接受的。
DS97Z8X0401
初步
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