T810 - XXXB / T835 - XXXB
热阻
符号
RTH （J -C ）
RTH （J -C ）
Rth的第（j-一）
结到外壳的DC
结到外壳为AC 360°导通角（ F = 50赫兹）
结点到环境（S = 0.5厘米
2
)
参数
价值
2.1
1.6
70
单位
° C / W
° C / W
° C / W
GATE特性
（最大值）
P
G（ AV ）
= 1 W
P
GM
= 10 W（ TP = 20
s)
I
GM
= 4 A（ TP = 20
s)
电气特性
符号
测试条件
象限
T810
I
GT
V
GT
V
GD
I
L
I
H
*
V
TM
*
I
DRM
I
RRM
的dV / dt *
V
D
= 12V （DC ）R
L
=33
V
D
= 12V （DC ）R
L
=33
V
D
=V
DRM
R
L
=3.3k
I
G
=1.2 I
GT
I
T
= 100毫安门打开
I
TM
= 11A TP = 380μs
V
DRM
评级
V
RRM
评级
线性斜率高达
V
D
=67%V
DRM
门打开
Tj=25°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=25°C
Tj=25°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=125°C
I-II-III
I-II-III
I-II-III
I-II-III
最大
最大
民
最大
最大
最大
最大
最大
民
50
25
15
1.5
10
2
500
10
1.3
0.2
60
35
苏FFI X
T835
35
mA
V
V
mA
mA
V
A
mA
V / μs的
单位
（ di / dt的） C * （的dV / dt ） c = 0.1V / μs的
（的dV / dt ）C = 15V / μs的
Tj=125°C
Tj=125°C
民
民
5.4
2.7
9
4.5
A / MS
A / MS
*对于电极A的任一极性
2
电压参考电极
1
.
订购信息
添加" - TR"后缀磁带和卷轴装运
T 8 10 - 600
TRIAC
电压
B
当前
灵敏度
包
B = DPAK
2/5
