T835-600G
T850-600G
高性能TRIAC
特点
高换相PREFORMANCES
无缓冲器
TM
技术
高抗干扰性（的dV / dt ）
高I
TSM
A2
A2
G
描述
该T835-600G和T850-600G三端双向可控硅使用
高性能无缓冲器技术。
它们用于交流控制应用
采用表面贴装TECNOLOGY 。
这些器件非常适合需要高
换流和浪涌表演
所需。
A1
D
2
PAK
绝对额定值
（限制值）
符号
V
DRM
V
RRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
（ 360°导通角）
不重复浪涌峰值通态电流
（ TJ初始= 25°C ）
I
2
为融合吨价
通态电流临界上升率
I
G
= 500毫安
T
英镑
T
j
T
dI
G
/ DT = 1 A / μs的。
不重复
存储温度范围
工作结温范围
在10秒最高温度为焊接
100
- 40, + 150
- 40, + 125
260
°C
°C
TJ = 125°C
TC = 110℃
TP = 8.3ms的
TP = 10毫秒
I
2
t
的di / dt
TP = 10毫秒
重复
F = 50赫兹
价值
600
8
85
80
32
20
A
2
s
A / μs的
单位
V
A
A
1998年5月 - 埃德： 3A
1/5
