K9F5608Q0C
K9F5608D0C
K9F5608U0C
K9F5616Q0C
K9F5616D0C
K9F5616U0C
FL灰内存
产品介绍
该K9F56XXX0C是528 （ X8设备）或264 （ X16设备）组织为65,536行（页）一个264Mbit （ 276824064位）内存
列。备用八列分别位于512 527 （ X8设备）或256 263 （ X16设备）的列地址。 528字节（ X8
设备）或264个字（ X16的装置）的数据寄存器被连接到存储器单元阵列容纳我之间的数据传输/输出缓冲的
页时器和存储器读取和页编程operations.The存储器阵列由16的串联连接的电池
以形成NAND结构。每16个单元的驻留在不同的页面。一个块由两个非结构的字符串。与非门
结构由16个细胞组成。总135168 NAND单元驻留在一个块中。阵列组织如图2-1,2-2 。亲
克和读操作都在一个页面基础上执行的，而擦除操作以块为基础执行。在存储器阵列
由2048分别可擦除16K字节（ X8设备）或8K字（ X16器件）模块。这表明，点点滴滴的擦除操作
值，我们禁止在K9F56XXX0C 。
该K9F56XXX0C已地址复用为8个I / O （ X16设备情况：低8个I / O ） 。 K9F5616X0C允许16位宽的数据
运进和流出的页面寄存器。该方案极大地减少引脚数，同时提供高性能和可
通过保持系统板设计的一致性的系统升级到未来的密度。命令，地址和数据都被写入
通过I / O的通过将WE低，而CE为低。数据锁定在WE的上升沿。命令锁存使能（ CLE ）和
地址锁存使能（ ALE ）用于复分别命令和地址，通过I / O引脚。某些命令需要一个
总线周期。例如，复位命令，读命令，状态读取命令，等需要的只是一个周期的总线。其他一些的COM
像页编程和复制回计划和块擦除mands ，需要两个周期：一个周期用于设置和其他周期
执行。在32M字节（ X8设备）或16M字（ X16设备）的物理空间需要24个地址（ X8设备）或23
地址（ X16器件） ，因此需要三个周期的字级寻址：列地址，低行地址和列高
地址，按照该顺序。页面读取和页编程需要以下所需的指令输入相同的三个地址周期。在
块擦除操作，但是，仅在两个行地址周期被使用。设备操作都通过写入特定的COM选择
mands到命令寄存器。表1定义了K9F56XXX0C的特定命令。
该装置包括一个块大小的OTP（一次性可编程），它可用来提高系统的安全性，或提供
识别能力。详细信息可以通过与三星接触得到。
表1.命令集
功能
阅读1
阅读2
读取ID
RESET
页编程
复制回收计划
LOCK
开锁
锁定紧
读取块锁定状态
块擦除
阅读状态
1日。周期
00h/01h
(1)
50h
90h
FFH
80h
00h
2Ah
23h
2Ch
7Ah
60h
70h
第2位。周期
-
-
-
-
10h
8Ah
-
24h
-
-
D0h
-
O
O
在繁忙接受命令
记
1. 01H命令只能在X8设备（ K9F5608X0C ） 。
小心
：任何未定义的命令输入被禁止的，除了表1中的上述命令集。
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