K9F5608Q0C

K9F5608D0C

K9F5608U0C

K9F5616Q0C

K9F5616D0C

K9F5616U0C

FL灰内存

文档标题

32M ×8位， 16M x 16位NAND闪存

修订历史

修订历史号

2.6

1.8V器件1. TREA值被改变。

K9F56XXQ0C ： TREA 30ns的-->为35ns

2.勘误表被删除。

1.交流参数改变。

TWC亿千瓦时TWP的tRC tREH的激进党TREA TCEA

K9F56XXU0C

K9F56XXD0C 50 15 25 50 15 25 30

45

K9F56XXQ0C

60

20

40

60

20

40

40

55

草案日期

2003年8月18日

备注

2.7

2003年10月28日

2.8

1.交流参数改变。

TWC亿千瓦时TWP的tRC tREH的激进党TREA TCEA

K9F5608Q0C 50 15 25 50 15 25 35

45

K9F5616Q0C 60 20 40 60 20 40 40

55

1.测试条件为待机电流变化。

I

SB

1 ： CE = V

IH

， WP = 0V / V

CC

-->> CE = V

IH

， WP = LOCKPRE = 0V / V

CC

I

SB

2

:

CE = V

CC

-0.2 ， WP = 0V / V

CC

-->> CE = V

CC

-0.2 ， WP = LOCKPRE = 0V / V

CC

2.添加在WSOP1 PKG图突起/伯尔值。

2003年12月17日

2.9

2004年4月24日

3.0

1. PKG （ TSOP1 ， WSOP1 ）尺寸变化

五月。 2004年第24届

注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。

s

http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm

所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利

改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有

有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。

2