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COP8TAB9/TAC9
10.0功能描述
（续）
10.7.1的R / C振荡器
该器件采用的R / C振荡器的两种模式
操作：
1.的R / C与内部R成为一个固定的频率上工作的（R / C
模式）
2。R / C与外部频率控制的电阻（R / C + R
模式）。
如果选项字节的振荡器选择位保持
编程（等于零）时，内部的R / C振荡器
模式将被选择。在内部的R / C振荡模式，长江基建
可以悬空，而G7 / CKO可作为
通用输入G7和/或停止控制。内部
的R / C振荡器具有芯片上电阻器和电容器，用于prede-
termined的R / C振荡器频率操作。该predeter-
开采的频率是10兆赫
±
供的温度范围内20％的
-40 ° C至+ 85°C 。
了R / C振荡器的频率控制电阻
模式（R / C + R） ，可通过编程选项位选择3
1和选项位6和4比0在R / C + R模式中，
振荡的频率是由电流通过控制
电阻从长江基建引脚连接到GND 。 G7 / CKO是
可作为一个通用输入G7和/或HALT CON-
控制。的最大频率为10MHz
±
温度为20 ％
TURE范围-40℃至+ 85℃ 。对于较低频率，一个
外部电阻应连接CKI之间
GND 。在长江基建引脚PC板走线长度应保持
尽可能地短。
表3
示出振荡器频率的函数
在长江基建引脚近似的外部性。
图16
显示了R / C振荡器配置。
表3的R / C + R振荡器配置，
-40 ° C至+ 85°C ，
OSC频率。变异
±
20%
外部电阻
(k)
60
100
200
500
振荡器频率
（兆赫）
15
10
5
2
INSTR 。周期
(s)
0.65
1.0
2.0
5.0
20047525
图14.晶体振荡器，外部偏置
电阻器
20047526
图15.外部振荡器
20047524
图13.晶体振荡器，片上偏置
电阻器
19
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