TB5T1
SLLS589B - 2003年11月 - 修订2004年5月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
产品型号
TB5T1DW
TB5T1D
TB5T1LDW
TB5T1LD
最热
TB5T1
TB5T1
TB5T1L
TB5T1L
包
鸥翼SOIC
SOIC
鸥翼SOIC
SOIC
无铅封装
镍钯金
镍钯金
SNPB
SNPB
状态
生产
生产
生产
生产
功率耗散额定值
PACK-
AGE
D
DW
(1)
(2)
(3)
电路
主板型号
低K
(2)
高K
(3)
低K
(2)
高K
(3)
额定功率
T
A
≤
25°C
752毫瓦
1160毫瓦
814毫瓦
1200毫瓦
热阻， Junction-
到环境没有空气流动
132.8°C/W
85.8°C/W
122.7°C/W
83.1°C/W
降额因子
(1)
T
A
≥
25°C
7.5毫瓦/°C的
11.7毫瓦/°C的
8.2毫瓦/°C的
12毫瓦/°C的
额定功率
T
A
= 85°C
301毫瓦
466毫瓦
325毫瓦
481毫瓦
这是结到环境的热阻时，板装在没有空气流动的倒数。
按照EIA / JESD51-3的低K热度量定义。
按照EIA / JESD51-7的高K的热度量定义。
热特性
参数
θ
JB
θ
JC
结对板
热阻
结到外壳
热阻
包
D
DW
D
DW
价值
48.4
55.2
45.1
48.1
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
2
