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交流工作条件和特点
（ VDD = 3.3V + 10 ％ ， - 5 ％ ， TA = 0 70 ° C，除非另有说明）
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1V / ns的（ 20％30 ％）
输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1 ，除非另有说明
读/写周期时序
（见注1 ， 2 ，3）
69P536C–4
参数
P
周期
时钟高电平脉冲宽度
时钟低脉冲宽度
时钟存取时间
输出使能输出
有效
钟高输出活跃
钟高输出变化
输出使能输出
活跃
输出禁止向Q高阻
时钟高到Q高阻
建立时间：
地址
ADSP ， ADSC ， ADV
DATA IN
写
芯片使能
保持时间：
地址
ADSP ， ADSC ， ADV
DATA IN
写
芯片使能
符号
S B升
TKHKH
TKHKL
TKLKH
TKHQV
TGLQV
tKHQX1
tKHQX2
TGLQX
TGHQZ
TKHQZ
tADKH
tADSKH
TDVKH
TWVKH
TEVKH
TKHAX
TKHADSX
TKHDX
TKHWX
TKHEX
民
7.5
3
3
—
—
1.5
1.5
0
—
2
2
最大
—
—
—
4
4
—
—
—
4
4
—
69P536C–4.5
民
8
3
3
—
—
1.5
1.5
0
—
2
2.5
最大
—
—
—
4.5
4.5
—
—
—
4.5
4.5
—
69P536C–5
民
10
3
3
—
—
0
2
0
—
2
2.5
最大
—
—
—
5
5
—
—
—
5
5
—
69P536C–6
民
12
4
4
—
—
0
2
0
—
2
2.5
最大
—
—
—
6
5
—
—
—
5
5
—
69P536C–7
民
13.3
4.5
4.5
—
—
0
2
0
—
2
2.5
最大
—
—
—
7
6
—
—
—
5
5
—
单位
U I
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
4
4
4, 5
4, 5
笔记
N
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
注意事项：
1.写被定义为任何SBX和SW低或SGW低。芯片使能定义为低SE1 ，SE2高SE3低时ADSP
或ADSC置位。
2.所有的读写周期时序从K或引用G.
3. G是不在乎写周期开始后。为了防止总线争用，G应该开始写周期之前否定。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5.在测
±
200毫伏的稳定状态。
产量
Z0 = 50
RL = 50
VT = 1.5 V
图1. AC测试负载
MCM69P536C
8
摩托罗拉快速SRAM
