TCET110 （ G）高达TCET4100
威世德律风根
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TCET1100 / TCET1100G
1)
50至600％
TCET1101 / TCET1101G
1)
4080％
1)
TCET1102 / TCET1102G
63至125％
TCET1103 / TCET1103G
1)
100200％
1)
TCET1104 / TCET1104G
160 320 ％
1)
TCET1105 / TCET1105G
50 ％至150％
TCET1106 / TCET1106G
1)
为100300 ％
1)
TCET1107 / TCET1107G
80至160％
TCET1108 / TCET1108G
1)
130至260％
TCET1109 / TCET1109G
1)
200至400％
TCET2100
50至600％
TCET4100
50至600％
1)
G = Leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上
备注
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
8 PIN =双通道
16引脚=四通道
特点
认证：
D
根据漏电电流电阻
符合VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
≥
175
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
D
内部爬电距离> 4毫米
一般特征：
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
FIMKO
（ SETI ） ： EN 60950 ，
证书编号11027
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222 - 双重保护
D
CSA
（ C- UL）认可1577
文件号E- 76222 - 双重保护
D
VDE
0884 ，证书编号115667
VDE 0884相关的功能：
D
CTR 9组提供
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2
（ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.2 pF的，高
共模抑制
D
CTR的低温度系数
D
G = Leadform 10.16毫米;
规定的爬电距离> 8mm时，
对于TCET2100 / TCET4100可选;
后缀字母“G”上并没有标明光耦
D
耦合系统U
D
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 8千伏高峰
D
绝缘测试电压
（局部放电试验电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
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2 (11)
文档编号83503
修订版A6 ， 08月， 99
