1N957B ， -1直通1N992B ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
电气特性* @ 25
o
C
JEDEC
TYPE
数
（注1 ）
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
公称
齐纳
电压
（注2 ）
齐纳
TEST
当前
马克斯。齐纳阻抗
（注3）
MAX 。 DC
齐纳
当前
（注4 ）
MAX 。 SURGE
当前
（注5 ）
马克斯。反向
泄漏
当前
I
R
@
V
R
A
伏
150
5.2
75
5.7
50
6.2
25
6.9
10
7.6
8.4
5
9.1
5
9.9
5
11.4
5
12.2
5
13.7
5
15.2
5
16.7
5
18.2
5
20.6
5
22.8
5
25.1
5
27.4
5
29.7
5
32.7
5
35.8
5
38.8
5
42.6
5
47.1
5
51.7
5
56.0
5
62.2
5
69.2
5
76.0
5
83.6
5
91.2
5
98.8
5
114.0
5
121.6
5
136.8
5
152.0
5
马克斯。温度。
系数
%/
o
C
+0.05
+0.058
+0.065
+0.068
+0.075
+0.076
+0.077
+0.079
+0.082
+0.083
+0.085
+0.086
+0.087
+0.088
+0.090
+0.091
+0.092
+0.093
+0.094
+0.095
+0.095
+0.096
+0.096
+0.097
+0.097
+0.098
+0.098
+0.099
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
V
Z
伏
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
I
ZT
mA
18.5
16.5
15.0
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.85
0.80
0.68
0.65
Z
ZT
@ I
ZT
欧
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13.0
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
2500
Z
ZK
欧
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
8000
@ I
ZK
mA
1.0
.5
.5
.5
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
I
ZM
mA
55
50
45
41
38
32
31
28
25
24
20
18
16
15
13
12
11
10
9.5
8.8
7.9
7.4
6.8
6.0
5.5
5.0
4.6
4.1
3.7
3.3
3.1
2.7
2.4
2.2
2.0
1.8
I
ZSM
mA
300
275
250
225
200
175
160
150
130
120
110
100
90
80
70
65
60
55
46
44
40
37
35
30
28
26
23
21
18
16
15
13
12
11
10
9
α
VZ
* JEDEC注册资料
注1 ：
所示的JEDEC类型号（B后缀）对标称稳压电压的±5 ％的容差。该后缀用于识别+/-
10 ％的容差;后缀C被用于识别+/- 2％ ;和后缀D被用来标识为+/- 1 ％的容差;无后缀表示+/- 20 ％
耐受性。
注2 ：
齐纳电压（
V
Z
）后测试电流已经施加20 ±5秒内测量。该装置应受暂停
引线与安装夹的0.375之间从主体的内部边缘“和0.500 ” 。安装夹应保持在一
o
25 + 8 / -2 ℃。温度
注3 ：
齐纳阻抗导出时具有有效值等于直流齐纳电流的10％ （我一个60周期的交流电流
ZT
or
I
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
。齐纳阻抗的测量是在2个点，以保证击穿曲线上的尖锐膝
和消除不稳定的单元。见MicroNote 202的变化具有不同的齐纳电流的动态阻抗。
注4 ：
的值
I
ZM
计算的名义齐纳电压的±5 ％的容差。津贴已经取得了上涨的齐纳
电压高于V
ZT
来自齐纳阻抗和功率耗散的方法增加的结点温度的效果
o
400毫瓦。在个别的二极管我的情况
ZM
是的电流值这导致400毫瓦的功耗在75℃引
温度为3/8“的身体。
注5 ：
激增的我
ZSM
是方波或1/120秒等效半正弦波脉冲。持续时间。
1N957B - 992B
(DO-35)
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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