NTD80N02
功率MOSFET
24 V ， 80 A ， N沟道DPAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
24 V
R
DS （ ON）
典型值
5.0毫瓦
I
D
最大
80 A
无铅包可用
典型应用
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
G
单位
VDC
VDC
ADC
4
瓦
°C
mJ
1 2
3
N沟道
D
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ T
C
= 25°C
漏电流
- 单脉冲（T
p
= 10
女士）
总功率耗散@ T
C
= 25°C
工作和存储
温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 24伏，V
GS
= 10 VDC ，
I
L
= 17 APK ， L = 5.0 mH的，R
G
= 25
)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
24
±20
80*
200
75
-55
150
733
S
4
4
1 2
3
12
3
° C / W
R
θJC
R
θJA
R
θJA
T
L
1.65
67
120
260
°C
CASE 369C
CASE 369D
CASE 369AA
DPAK
DPAK
DPAK
（表面贴装） （表面贴装） （直引线）
方式2
方式2
方式2
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
80
N02
3
来源
1
门
2
漏
3
来源
=年
=工作周
=器件代码
出版订单号：
NTD80N02/D
4
漏
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.当表面安装用1 “垫尺寸为FR4板，
在（铜面积1.127
2
).
2.表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸， （以铜面积0.412
2
).
*芯片电流能力受限包。
1
门
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 第4版
YWW
80
N02
2
漏
Y
WW
80N02
订购信息
