超前信息
PTF080101
LDMOS射频功率场效应晶体管
10 W， 860-960兆赫
描述
该PTF080101是10瓦，内部匹配
GOLDMOS
FET意
在860 960 MHz频段EDGE应用。全金metalliza-
化保证了优异的器件寿命和可靠性。
特点
宽带内部匹配
典型的边缘表现
- 平均输出功率=在4.0W
- 增益= 19分贝
- 英法fi效率= 31 ％
典型CW性能
- 输出功率为P - 1分贝=为13W
- 增益= 18分贝
- 效率= 55 ％
集成ESD保护：人体
模型中， 1级（最低）
优良的热稳定性
低HCI漂移
能够处理10 ： 1 VSWR @ 28 V ，
10 W（ CW）输出功率
EDGE EVM性能
EVM和效率与输出功率
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 0.15 A ， F = 959.8兆赫
4
40
RMS EVM （平均％ ）
.
3
效率
2
EVM
1
10
20
30
效率（％）
0
25
30
35
40
0
输出功率（dBm ）
PTF080101S
包32259
ESD ：
静电放电敏感器件，观察处理注意事项！
射频特性
在T
例
= 25 ° C除非另有说明
EDGE测量
（不受生产测试VERI网络设计/表征在网络霓虹测试网络连接夹具版）
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 4.0 W， F = 959.8兆赫
特征
误差矢量幅度
调制频谱@ 400千赫
调制频谱@ 600千赫
收益
漏EF网络效率
符号
EVM （ RMS ）
ACPR
ACPR
G
ps
民
—
—
—
—
—
典型值
1.3
–61
–75
19
31
最大
—
—
—
—
—
单位
%
dBc的
dBc的
dB
%
η
D
双色测量
（英飞凌测试夹具测试）
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 10瓦PEP ， F = 960 MHz的音调间隔= 1兆赫
特征
收益
漏EF网络效率
互调失真
发展数据表
1
符号
G
ps
民
—
—
—
典型值
19
37
–32
最大
—
—
—
单位
dB
%
dBc的
2004-03-08
η
D
IMD
