位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第0页 > TFDT6501E-TR4 > TFDT6501E-TR4 PDF资料 > TFDT6501E-TR4 PDF资料1第4页
TFDU6101E/TFDS6401/TFDS6501E/TFDT6501E
日前，Vishay
半导体
绝对最大额定值
参考点引脚： GND ，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
电源电压范围，
收发器
电源电压范围，
发射机
输入电流
输出吸收电流
功耗
结温
环境温度
范围（工作）
储存温度
范围
焊接温度
测试条件
0 V <V
CC2
<6 V
0 V <V
CC1
<6 V
所有引脚，除了IRED
阳极销
见降额曲线
P
D
T
J
T
AMB
T
英镑
见推荐焊接
轮廓（参见图11）
I
IRED
（DC）的
I
IRED
（ RP ）
V
IREDA
V
TXD
V
RXD
d
– 0.5
– 0.5
– 0.5
2.5
2.8
320
符号
V
CC1
V
CC2
分钟。
– 0.5
– 0.5
典型值。
马克斯。
6
6
10
25
350
125
+85
+85
240
130
600
6
V
CC1
+0.5
V
CC1
+0.5
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
mA
mA
V
V
V
mm
毫瓦/ SR
–25
–25
平均输出电流
重复脉冲输出<90
s,
t
on
<20%
当前
红外发光二极管的阳极电压
发送数据输入
电压
接收数据输出
电压
虚拟源大小
方法：
（ 1-1 / E）的能量包围
最大强度的
EN60825 ， 1997年，
第1类操作的
单向操作，
IEC825-1或EN60825-1最坏情况下的测试模式
（最坏情况下的IrDA FIR
脉冲模式）
www.vishay.com
4 (17)
文档编号82525
牧师B1.6 ， 02 -NOV- 00
