TFDU6100E/TFDS6500E/TFDT6500E
电气特性
参数
收发器
电源电压
动态电源电流
d
动态电源电流
待机电源电流
e
待机电源电流
待机电源电流
e
工作温度范围
输出电压低
输出电压高
输入电压低
输入电压高
f
输入电压高
g
输入漏电流
输入电容
V
CC
I
CC
I
CC
I
SD
I
SD
I
SD
T
A
V
OL
V
OH
V
IL
V
IH
V
IH
I
L
C
I
V
CC
≥
4.5V
R
负载
= 2.2千欧，C
负载
= 15 pF的
R
负载
= 2.2千欧，C
负载
= 15 pF的
V
CC
–0.5
0
0.9 *
V
CC
2.4
–10
SD =低，E
e
= 0毫瓦/米
2
SD =低，E
e
= 1 KLX
d
SD =高，模式=浮动，
25 ° C，E
e
= 0 KLX
SD =高，模式=浮动，
T为25 ° C，E
e
= 1 KLX
d
SD =高，模式=浮动，
中T = 85°C
–25
2.7
德律风根
半导体
符号
测试条件
a
民
b
典型值
c
最大
b
5.5
单位
V
mA
3
3
4
4
1
1.5
5
85
A
°C
0.5
0.8
0.8
V
+10
5
A
pF
笔记
一。 TAMB = 25_ ，V
CC
= 2.7 - 5.5 V，除非另有说明。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。只接收模式。在发射模式下，添加额外的百毫安（典型值），以IRED电流。
。没有环境光敏感。
F。 CMOS电平。
克。 TTL电平。
4
待定-REV 。 A， 03 -APR- 98
预发布信息
