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128MB DDR SDRAM
11. IBIS ： I / V特性的输入和输出缓冲器
11.1强度普通司机
目标
1.对于DDR SDRAM器件的额定下拉VI曲线将是VI的内部边界线内
图A的曲线
2.在驱动器的全部变化下拉电流从最小到最大的过程中，温度和电压
会说谎的外边界线下面的图的VI曲线的范围内。
最大
标称高
IOUT （MA ）
标称低
最低
Vout的（V）的
3.对于DDR SDRAM器件的标称上拉VI曲线将是VI的内部边界线内
曲线如下图所示。
4.全变异在驱动上拉电流从最小到最大的过程中，温度和电压
会说谎的下面Figrue的VI曲线的外边界线内
Minumum
标称低
IOUT （MA ）
标称高
最大
Vout的（V）的
5.在最大最小上拉和下拉电流的比值的全部变化不会超过1.7 ，
对于设备漏极到源极电压从0到VDDQ / 2
6.在标称上拉的比率中的全部变化到下拉电流应该为1 ±10％ ，对于设备
从0到VDDQ / 2漏极至源极电压
图25的I / V特性为输入/输出缓冲器：上拉（上图）和下拉（下）
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REV 。 0.61月9 '99
