HGTG40N60B3
电气规格
参数
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量（注1 ）
热阻结到外壳
注意：
3.开启，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。导通损失包括因损失
到二极管恢复。
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON
E
关闭
R
θJC
测试条件
IGBT和二极管均在T
J
= 150
o
C
I
CE
= I
C110
V
CE
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 3
L = 100μH
测试电路（图17）
民
-
-
-
-
-
-
-
典型值
47
35
285
100
1850
2000
-
最大
-
-
375
175
-
-
0.43
单位
ns
ns
ns
ns
J
J
o
C / W
典型性能曲线
100
I
CE
， DC集电极电流（ A）
（除非另有规定编）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
V
GE
= 15V
80
250
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3, V
GE
= 15V
200
60
包装有限公司
40
150
100
20
50
0
25
50
75
100
125
150
0
0
100
200
300
400
500
600
700
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1. DC集电极电流与案例
温度
图2.最小开关安全工作区
100
T
C
75
o
C
75
o
C
110
o
C
110
o
C
V
GE
15V
10V
15V
10V
V
CE
= 360V ，R
G
= 3, T
J
= 125
o
C
16
14
12
10
8
6
4
10
t
SC
I
SC
800
700
600
500
400
300
200
15
10
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 0.43
o
C / W ，见注解
1
10
20
40
60
80
100
11
12
13
14
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
V
GE
，门到发射极电压（ V）
图3.工作频率与集电极
发射极电流
图4.短路耐受时间
2004仙童半导体公司
HGTG40N60B3 B3版本
I
SC
峰值短路电流（ A）
f
最大
，工作频率（千赫）
T
J
= 150
o
C，R
G
= 3Ω ， L = 100μH ，V
CE
= 480V
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
18
900
