HGTG40N60B3
典型性能曲线
300
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
R
G
= 3Ω ， L = 100μH ，V
CE
= 480V
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 15V
250
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 10V
200
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 15V
150
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 15V
100
20
40
60
80
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
20
20
40
60
80
100
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
t
fI
，下降时间（ NS ）
140
T
J
= 150
o
C，V
GE
= 10V和15V
（除非另有规定编）
（续）
180
R
G
= 3Ω ， L = 100μH ，V
CE
= 480V
100
60
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 10V和15V
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
占空比= <0.5 ％ ，V
CE
= 10V
脉冲宽度= 25μs的
160
V
GE
，门到发射极电压（ V）
200
15
I
G（ REF ）
= 3.255毫安，R
L
= 7.5, T
C
= 25
o
C
V
CE
= 400V
V
CE
= 600V
12
120
9
80
6
V
CE
= 200V
3
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
40
T
C
= -55
o
C
6
7
8
9
10
0
4
5
V
GE
，门到发射极电压（ V）
0
0
50
100
150
200
250
300
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图13.传输特性
图14.栅极充电波形
14
频率= 400kHz的
12
C
IES
C，电容（ NF）
10
8
6
4
C
OES
2
C
水库
0
0
5
10
15
20
25
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图15.电容VS集电极到发射极电压
2004仙童半导体公司
HGTG40N60B3 B3版本
