TK610xx
定义和解释技术术语的
检测电压（V
DET
)
当V
DD
低于检测电压时，输出
变低。
滞后电压（V
HYS
)
当V
DD
去上述检测电压的总和
和迟滞电压时，输出变为高电平。
电源电流（I
SSL
)
电源电流（V
DD
= 1 V)
电源电流（I
SSM
)
电源电流（V
DD
= 5 V) 2.0 V
≤
设定电压
≤
4.1 V
电源电流（I
SSH
)
电源电流（V
DD
= 7 V) 4.2
≤
设定电压
≤
5.0 V
输出电流（I
ON1
)
输出N沟道FET输出灌电流
V
DD
= 0.8 V, V
DS
= 0.5 V
输出电流（I
ON2
)
输出N沟道FET输出灌电流
V
DD
= 1.5 V, V
DS
= 0.5 V
输出电流（I
OP1
)
输出P沟道FET输出源电流
V
DD
= 4.5 V, V
DS
= 2.1 V, 2.0 V
≤
设定电压
≤
4.1 V
电压精度（V
ERR
)
组电压的误差率
V
ERR
= 100 * (V
DET
- 设定电压） /设定电压
以％表示
滞后（ HYS ）
滞后电压的比值来检测电压
HYS = 100 * （V
HYS
- V
DET
) / V
DET
以％表示
最大工作电压（V
DDH
)
最大工作电压。
最低工作电压（V
DDL
)
电压时， V
DD
减小并且输出从0V上升
100毫伏。
检测电压的温度系数
( V
DET
/ V
DET
*
T)
检测电压的温度系数。
V
DET
V
DET
*
T
=
1000000 * (V
DET
（T ） - V
DET
(25
°C))
V
DET
(25
°C)
* (T - 25
°C)
RISE传播延迟时间（T
DR
)
为输出到达延迟时间（Ⅴ
DET
+ 2.0 V) / 2
当V
DD
云从V
低
- 0.8 V到V
高
= V
DET
+ 2.0 V
1999年10月TOKO公司
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