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LHF16KA9
3.2输出禁止
7
2.1数据保护
根据不同的应用中，系统设计者
可以选择使在V ,,
电源
可切换（仅当块擦除，全片
擦除， （多）字/字节写和块锁位
需要配置）或硬连接到V ,,,, 。
该设备可容纳无论是设计实践和
鼓励处理器的存储器的优化
界面。
内容不能
改变。崔，多步块擦除，全片
擦除， （多）字/字节写和块锁位
序列，
提供
CON组fi guration
命令
防止不必要的操作，即使高
电压被施加到V ,,。所有的写操作功能
残疾人当V ,,低于写入锁定电压
VLKO或当RP ＃为V ,, 。该器件的块
锁定功能提供了额外的保护
通过选通块无意代码或数据篡改
擦除，整片擦除（多）字/字节写
操作。
用OE ＃为逻辑高电平（六， ） ，该装置
输出被禁止。输出引脚DQo -DQ ,,是
置于高阻抗状态。
3.3待机
无论是CE ， ＃或CE ，处于逻辑高电平＃ （V ,, ）地点：
该设备处于待机模式，该模式显着！
降低设备功耗。
DQo -DQ ，
输出被置于高阻抗
状态
独立的OE ＃ 。如果BL0C1组件过程中取消选择
擦除，整片擦除， （多）字/字节写操作时
块锁定位配置，该设备继续：
运作，并消耗有功功率，直到
操作完成。
当Vpp VppLK ，
内存
3.4深度掉电
RP ＃在V ,,启动深度掉电模式。
在读模式， RP ＃ - 低取消选择内存
放置输出驱动器处于高阻抗状态蚂蚁
关闭所有内部电路。 RP ＃必须保持为低电平FO
至少100毫微秒。时间tpHQv是AFTE要求，
从掉电前的初始内存访问返回
输出是有效的。唤醒的时间间隔，诺玛后
操作被恢复。崔复位读ARRA ）
模式和状态寄存器被置为80H。
在块擦除，整片擦除， （多）字/字节
写或阻止锁定位配置模式， RP ＃ -ION
将中止操作。 STS保持为低电平，直到
复位操作完成。内存内容比因斯
改变不再有效;该数据可以是partialI ]
擦除或写入。时间t ,,,,
RP ＃我之后需要
之前，另一个指挥车变为逻辑高电平（V ,,）
被写入。
与任何自动化设备，重要的是TC
美元SERT RP ＃在系统复位。当系统
脱离复位状态，预计从闪存读取
内存。自动化的快闪记忆体提供状态
在信息块擦除访问时，全
芯片擦除， （多）字/字节写和块锁定BII
配置。如果出现不带闪光灯，CPU复位
存储器复位，适当的CPU初始化可能不
发生，因为闪速存储器可以提供
状态的信息，而不是阵列中的数据。夏普的
闪存允许适当的CPU初始化
通过使用对应的RP ＃在系统复位后
输入。在本申请中，反相＃是由控制
同样的RESET ＃信号复位系统CPU 。
3总线操作
本地CPU读取和写入闪存IN-
系统。所有的总线周期来或从闪速存储器
符合标准的微处理器总线周期。
3.1读
信息可以从任何块，标识符被读取
码，查询结构; GR状态寄存器独立
的V ,, voltyge 。 RP ＃必须在V ,, 。
第一个任务是写相应的阅读模式
命令（读阵列，读取识别码，查询
或读状态寄存器）的崔。在初始
器件上电或从深度掉电后退出
模式下，设备会自动复位到读阵列
模式。五个控制引脚决定在数据流和
从组件： CE ＃ （CEO ＃ ， CE ＃ ） ， OE ＃ ， WE＃ ，
RP ＃和WP ＃ 。 CE ， ＃ ， CE ＃和OE ＃必须驱动
活性在输出端得到的数据。 CE ， ＃ ， CE ， ＃是
IHE设备选择控制，以及活动时使
选定的存储设备。 OE＃为数据输出
（ DQo - DQ ,,）的控制和活动时驱动
选择的存储数据到I / O总线。 WE ＃和
SP ＃必须在六，。图17 ，图18示出的读出
： ycle 。
修订版1.9
