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SHARI =
LHF16KA9
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1.5.4设备几何定义
rhis领域提供了闪存设备的几何形状的关键细节。
表10.设备几何
OFFSET
(字地址)
27H
28H,29H
2AH,2BH
2CH
2DH,2EH
i
2FH,30H
01H
02H
02H
OLH
02H
02H
德网络nition
描述
器件尺寸
15H ( 15H = 21 , 221 = 2097152 = 2M字节)
闪存设备接口说明
02H , OOH ( X8 / X1 6通过BYTE #支持x8和XL 6 )
的最大字节数在多字/字节写
05H , OOH ( 25 = 32字节)
擦除块区域内的设备数
01 H(对称受阻)
擦除的块数
1 FH , OOH ( 1 FH = 31 == > 31 + 1 = 32块)
“ 256字节”集群在擦除块的数量
哦, OLH ( OlOOH = 256 = = >256字节×256 = 64K字节的擦除块)
55美元SCS OEM特定的扩展查询表
Zertain闪光功能和命令可能是选配的供应商特定的算法规范。可选
rendor特定的查询表(多个)可以被用来指定此和其他类型的信息。这些结构是
只由闪光供应商(多个)所定义。
表11. SCS OEM特定的扩展
OFFSET
(字地址)
31 H,32H,33H
34H
35H
36H,37H,
38H,39H
03H
OLH
OLH
04H
查询表
描述
PRI
50H,52H,49H
31 H(1)主版本号, ASCII码
30H (0)的副版本号, ASCII码
QFH ,哦,哦,哦
可选命令支持
位0 = L :芯片擦除支持
位1 = L :暂停擦除支持
位2 = 1 :挂起写支持
位3 = 1 :锁定/解锁支持
位4 = 0 :排队擦除不支持
bit5-31 = O :预留,将来使用
OLH
支持的功能后暂停
位0 = L :写支持后擦除挂起
第1位-7 = O :保留供以后使用
03H,OOH
模块状态寄存器面膜
位0 = L :块状态寄存器锁定位[ BSR.O ]活跃
位1 = L :块状态寄存器中的有效位[ BSR.l ]活跃
位2 - 15 = 0:保留供将来使用
VCC逻辑电源最佳写入/擦除电压(最高性能)
50H(5.OV)
VPP编程电源最佳写入/擦除电压(最高性能)
50H@OV)
预留SCS规范的未来版本
3AH
OLH
3BH,3CH
02H
3DH
3EH
3FH
OLH
OLH
版权所有
修订版1.9

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