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东芝T-1
InGaAIP超高亮度发光二极管
TLOE263AP
产品特点
eatur
产品特点 -
InGaAlP系技术
T- 1.75薄型封装
高强度橙光(L
P
= 612nm )发射
l
水至清镜头
额定值(Ta
最大额定值(Ta = 25_C )
特征
符号
等级
单位
正向电流
反向电压
功耗
工作温度
储存温度
I
F
V
R
P
D
T
OPR
T
英镑
50
4
125
-30 ~ 85
-40 ~ 120
mA
V
mW
°C
°C
单位:mm
光电特性(Ta
光电特性(Ta = 25 ° C)
特征
正向电压
反向电流
发光强度
视角
峰值波长
主波长
光谱线半宽
符号
V
F
I
R
I
V
2θ½
λ
p
λ
d
λ
测试条件
如果= 20mA下
VR = 4V
如果= 20mA下
如果= 20mA下
如果= 20mA下
如果= 20mA下
分钟。
45
典型值。
1.95
180
100
612
605
15
马克斯。
2.4
50
单位
V
A
MCD
°
nm
nm
nm
*夜光排名: (M : 56-112mcd ) , (N : 100-200mcd ) , (P : 180-360mcd )上限和下限公差± 15 %
可在一斌组合: ( MN )
marktech
光电
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所有特定网络阳离子随时可能更改。
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