TN2010T

N沟道增强型MOSFET晶体管

产品概述

V

（ BR ） DSS

敏（ V）

200

r

DS （ ON）

最大值（W）的

11

V

GS （ TH）

(V)

为0.8 3.0

I

D

(A)

0.12

特点

D

D

D

D

D

低导通电阻： 9.5

W

二次击穿免费： 220 V

低功率/电压驱动

低输入和输出泄漏

优良的热稳定性

好处

D

D

D

D

D

低失调电压

全电压运行

轻松驱动无缓冲器

低电压错误

没有高温

“失控”

应用

D

高电压驱动器：继电器，螺线管，

灯，锤子，显示器，晶体管等。

D

电话静音开关，振铃电路

D

电源供应器，转换器

D

电机控制

TO-236

(SOT-23)

G

1

3

D

S

2

顶视图

TN2010T （R1） *

*标识代码为TO- 236

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

(T

J

= 150_C)

漏电流脉冲

a

功耗

最大结点到环境

工作结存储温度范围

笔记

一。脉冲宽度有限的最高结温。

更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70203 。

T

A

=

25_C

T

A

=

70_C

T

A

=

25_C

T

A

=

70_C

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

R

thJA

T

J

, T

英镑

极限

200

"20

0.12

0.08

0.34

0.35

0.22

357

-55到150

单位

V

A

W

° C / W

_C

Siliconix公司

S- 52426 -REV 。 C， 14 -APR- 97

1