
SGF40N60UF
2500
共发射极
V
GE
= 0V , F = 1MHz的
T
C
= 25℃
300
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 20A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
2000
吨
Tr
电容[ pF的]
1500
1000
卓越中心
500
CRES
0
1
10
30
开关时间[ NS ]
资本投资者入境计划
100
10
1
10
100
200
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
栅极电阻,R
G
[
]
图7.电容特性
图8.打开,在主场迎战特点
栅极电阻
1000
开关时间[ NS ]
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 20A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
2000
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 20A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
花花公子
1000
Tf
开关损耗[ UJ ]
宙
EOFF
宙
EOFF
100
Tf
100
20
1
10
100
200
50
1
10
100
200
栅极电阻,R
G
[
]
栅极电阻,R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
200
1000
100
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 10
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
花花公子
Tf
花花公子
吨
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 10
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
15
20
25
30
35
40
100
Tr
Tf
10
10
20
10
15
20
25
30
35
40
集电极电流,I
C
[A]
集电极电流,I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2001仙童半导体公司
图12.关断特性对比
集电极电流
SGF40N60UF版本A