NTP45N06 ， NTB45N06
功率MOSFET
45安培， 60伏
N沟道TO- 220和D2PAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
更高的额定电流
低RDS （ ON）
较低的VDS （上）
较低的电容
低总栅极电荷
更严格的规范VSD
低二极管反向恢复时间
低反向恢复电荷存储
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
45安培
60伏特
RDS （ ON） = 26毫欧
N沟道
D
典型应用
G
4
S
1
TO–220AB
CASE 221A
风格5
2
3
2
3
D2PAK
CASE 418B
方式2
4
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 10 MΩ ）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（ TP
v10
女士）
漏电流
- 连续@ TA = 25°C
- 连续@ TA = 100℃
- 单脉冲（ TP
v10
s)
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
总功率耗散@ TA = 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ TA = 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
符号
VDSS
VDGR
VGS
VGS
ID
ID
IDM
PD
价值
60
60
"20
"30
45
30
150
125
0.83
3.2
2.4
-55
+175
ADC
APK
W
W / ℃，
W
W
°C
单位
VDC
VDC
VDC
1
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
4
漏
NTP45N06
LLYWW
1
门
2
漏
3
来源
1
门
NTB45N06
LLYWW
TJ ， TSTG
2
漏
3
来源
单脉冲Drain - to-Source雪崩
EAS
240
mJ
能源 - 启动TJ = 25°C
（ VDD = 50伏直流电， VGS = 10 VDC ， RG = 25
,
IL （ PK ） = 40 A，L = 0.3 mH为VDS = 60 V直流）
1.当表面安装用1 “垫尺寸为FR4板，
（铜区1.127平方英寸） 。
2.表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸， （铜区0.412平方英寸） 。
NTx45N06
LL
Y
WW
=器件代码
=地点代码
=年
=工作周
订购信息
设备
NTP45N06
NTB45N06
NTB45N06T4
包
TO–220AB
D2PAK
D2PAK
航运
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年3月 - 修订版0
出版订单号：
NTP45N06/D
