STP40NF10L
N沟道100V - 0.028Ω - 40A TO- 220
低栅电荷的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STP40NF10L
s
s
s
s
V
DSS
100 V
R
DS （ ON）
< 0.033
I
D
40 A
典型
DS
（上） = 0.028Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
TO-220
3
1
2
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与STMicro-
电子产品独有的STripFET进程specifical-
LY旨在最大限度地减少输入电容和
栅极电荷。因此，适合于作为主
开关在先进的高效率隔离直流 - 直流
转换器电信和计算机应用。它
也适用于具有低门的任何应用程序
充电驱动要求。
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
UPS和电机控制
s
汽车
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
l
)
P
合计
E
AS
(1)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
100
100
± 17
40
25
160
150
1
430
-65 175
175
（ 1 ）起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 20A ，V
DD
= 40V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
°C
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
2002年6月
1/8
