TPC8104-H
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（高速U- MOSII ）
TPC8104H
高速度和高效率DC -DC转换器
锂离子电池应用
笔记本电脑
便携式设备的应用
l
占地面积小，因小而薄的封装
l
高速开关
l
小栅极电荷
：的Qg = 17 NC（典型值）。
: R
DS （ ON）
= 38毫欧（典型值）。
l
低漏源导通电阻
单位：mm
l
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 7.0 S（典型值）。
l
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
30
V)
l
增强型： V
th
=
0.8~2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
（T = 10秒）
（注2A ）
（T = 10秒）
（注2B ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
5
20
2.4
1.0
32.5
5
0.24
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1B
漏极功耗
漏极功耗
重0.080克（典型值）。
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
电路CON组fi guration
注：对于（注1 ） （注2 ） （注3）和（注4 ） ，请参阅
下页。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
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2002-09-11
