摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MMDF2N05ZR2 / D
设计师
数据表
中功率表面贴装产品
MMDF2N05ZR2
摩托罗拉的首选设备
TMOS双N沟道与
单片稳压ESD
保护门
EZFETs 是一种先进的系列功率MOSFET的这
利用摩托罗拉的高密度TMOS的过程，并包含
单片背到背的齐纳二极管。这些稳压二极管
提供保护，防止静电和意外的瞬变。这些
微型表面贴装MOSFET具有极低的RDS（on ）和
真正的逻辑电平性能。他们能够承受高
能在雪崩和减刑模式和
漏极 - 源极二极管具有非常低的反向恢复时间。
EZFET设备用于低电压设计，高速
切换应用中的功率效率是重要的。典型
应用是直流 - 直流转换器，并在电源管理
便携式及电池供电的产品，如计算机，
打印机，蜂窝和无绳电话。它们也可以被用于
在大容量存储产品，例如磁盘低电压电机控制
驱动器和磁带驱动器。
双TMOS
功率MOSFET
2.0安培
50伏
RDS （ ON）= 0.300 OHM
D
G
S
CASE 751-05 ，风格11
SO–8
超低的RDS（on ） ，从而提高效率并延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器 - 可通过逻辑IC驱动
小型SO- 8表面贴装封装 - 节省电路板空间
二极管电桥电路的特点是使用
二极管具有高转速，软恢复
IDSS指定高温
安装信息的SO- 8封装提供
Source–1
Gate–1
Source–2
Gate–2
1
2
3
4
8
7
6
5
Drain–1
Drain–1
Drain–2
Drain–2
顶视图
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流 - 连续@ TA = 25°C
漏电流
- 连续@ TA = 70℃
漏电流
- 单脉冲（ TP
≤
10
s)
总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）
工作和存储温度范围
热阻 - 结到环境
最大焊接温度的目的
符号
VDSS
VDGR
VGS
ID
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
R
θJA
TL
价值
50
50
±
15
2.0
1.7
8.0
2.0
- 55 150
62.5
260
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
APK
瓦
°C
° C / W
°C
器件标识
D2N05Z
订购信息
设备
带尺寸
胶带宽度
QUANTITY
MMDF2N05ZR2
13″
12毫米压纹带
2500台
（ 1 ）当使用最小的占用空间，建议安装在G10 / FR- 4玻璃环氧树脂板。
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
首选设备
是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
设计师的， HDTMOS和EZFET是摩托罗拉公司的商标TMOS是摩托罗拉公司的注册商标。热复合为一个与贸易
在贝格斯公司的标志。
REV 1
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
摩托罗拉1997年公司
1
