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E
4.11
符号
I
IL
I
LO
I
CCS
2兆位SmartVoltage BOOT块系列
直流特性，扩展温度操作
PROD
参数
V
CC
笔记
TBV-80
3.3 ± 0.3 V
典型值
最大
± 1.0
± 10
60
110
70
TBV-80
TBE-120
5 V ± 10%
典型值
最大
± 1.0
± 10
150
A
A
A
V
CC
= V
CC
最大
V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= V
CC
最大
V
IN
= V
CC
或GND
CMOS电平
V
CC
= V
CC
最大
CE＃ = RP ＃ = WP ＃ =
V
CC
± 0.2 V
0.4
1.5
0.8
2.5
mA
TTL电平
V
CC
= V
CC
最大
CE＃ = RP ＃ = BYTE ＃
= V
IH
单位
测试条件
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流
1
1
1,3
I
CCD
V
CC
深度掉电
当前
V
CC
读电流为
字或字节
1
0.2
8
0.2
8
A
I
CCR
1,5,6
15
30
50
65
mA
V
CC
= V
CC
最大
V
IN
= V
CC
或GND
RP ＃ = GND ± 0.2 V
CMOS输入
V
CC
= V
CC
最大
CE = V
IL
F = 10兆赫（5 V）的
5兆赫（ 3.3 V ）
I
OUT
= 0毫安
输入= GND ± 0.2 V
或V
CC
± 0.2 V
TTL输入
V
CC
= V
CC
最大
CE＃ = V
IL
F = 10兆赫（5 V）的
5兆赫（ 3.3 V ）
I
OUT
= 0毫安
输入= V
IL
或V
IH
15
30
55
70
mA
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