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E
3.6.2
2兆位SmartVoltage BOOT块系列
瞬态电流大小取决于设备
输出'容性和感性负载。两线
控制和适当的去耦电容的选择
将抑制这些瞬态电压峰值。每
闪存设备应该有一个0.1 μF的陶瓷
电容连接各V之间
CC
和GND
和V之间
PP
和GND 。这些高
频率，固有的低电感电容
应放在尽可能接近的
封装引线。
3.7.1
V
PP
微量元素对印刷电路
板
V
CC
, V
PP
和RP ＃跃迁
崔锁存器，由系统发出的命令
软件和未用V改变
PP
或CE ＃
转换或WSM行动。在缺省状态
上电时，从深度掉电模式退出后，
或之后V
CC
过渡高于V
LKO
（锁定
电压）时，读出阵列模式。
之后的任何字/字节编程或擦除块
操作完成后，甚至在V
PP
TRANSITIONS
低至V
PPLK
，崔必须复位到读阵列
通过读阵列命令模式下，如果要访问
闪速存储器是期望的。
请参考Intel的应用笔记
AP-617
其它Flash数据保护使用V
PP
， RP ＃ ，
和WP ＃
对于电路级描述如何
落实第3.6节所讨论的保护。
3.7
电源去耦
闪存存储器的电源开关特性
需要仔细设备解耦方法。系统
设计者应考虑三个电源电流
问题：
1.待机电流水平（我
CCS
)
2.活动目前的水平（我
CCR
)
由上升沿和生产3.瞬态峰值
的CE＃边缘。
设计用于在系统编程的闪存
内存需要特别考虑的第五
PP
通过在印刷电路板的电源迹线
设计师。在V
PP
针供给闪速存储器
细胞电流进行编程和擦除。一
应该使用类似的走线宽度和布局
考虑给定至V
CC
电源走线。
充足的V
PP
电源走线，和去耦
电容器放置在邻近的元件，将
降低尖峰和过冲。
注意：
在DC和AC特性表的表的标题（即，BV -60， BV- 80 ，BV -120 ， TBV -80 ， TBE-
120）参照下面列出的特定产品。请参见第5.0节的有关产品的更多信息
命名和行项目。
缩写
BV-60
BV-80
BV-120
TBV-80
适用产品名称
E28F002BV - T60 ， E28F002BV - B60 ， PA28F200BV - T60 ， PA28F200BV - B60 ，
E28F200CV - T60 ， E28F200CV - B60 ， E28F200BV - T60 ， E28F200BV - B60
E28F002BV - T80 ， E28F002BV - B80 ， PA28F200BV - T80 ， PA28F200BV - B80 ，
E28F200CV - T80 ， E28F200CV - B80 ， E28F200BV - T80 ， E28F200BV - B80
E28F002BV - T120 ， E28F002BV - B120 ， PA28F200BV - T120 ， PA28F200BV - B120
TE28F002BV - T80 ， TE28F002BV - B80 ， TB28F200BV - T80 ， TB28F200BV - B80 ，
TE28F200CV - T80 ， TE28F200CV - B80 ， TE28F200BV - T80 ， TE28F200BV - B80
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