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1999.1.15
版本。 0.1
三菱的LSI
M5M5W816WG -85L ， 10L ， 85H ， 10H
-85LI ， 10LI ， 85HI ， 10HI
初步
注意：这不是最终规格。
有些参数的限制有可能发生变化
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16位） CMOS静态RAM
这些总结在下面的部分名称表。
描述
该M5M5W816是一个家庭的低电压8兆位静态RAM的
16位组织为524288字，捏造三菱的
高性能的0.18μmCMOS工艺。
该M5M5W816适用于存储应用场合
简单的接口，电池的使用和备用电池是
重要的设计目标。
M5M5W816WG打包在一个CSP （芯片级封装） ，
随着7.0毫米X 8.5毫米的轮廓，球矩阵的6× 8 （ 48ball ）
和球是0.75mm间距。它给出了一个压缩的最佳解决方案
的安装面积，以及布线图案的灵活性的印刷
电路板。
从工作温度的角度来看，家庭划分
分为两个版本; "Standard"和"I - version" 。
特点
- 单1.8 2.7V电源
- 小待机电流： （ 2.7V ，典型值） 0.1μA
- 没有时钟，没有刷新
- 数据保持电源电压= 1.0V
- 所有输入和输出为TTL兼容。
- 由S1 ， S2 ， BC1和BC2易扩展内存
- 通用数据的I / O
- 三态输出：或领带的能力
- 参考防止数据争用的I / O总线
- 工艺技术：采用0.18μm CMOS
- 包装： 48ball 7.0毫米X 8.5毫米CSP
版本，
操作
温度
部件名称
M5M5W816WG -85L
动力
供应
1.8 ~ 2.7V
1.8 ~ 2.7V
1.8 ~ 2.7V
1.8 ~ 2.7V
存取时间
马克斯。
85ns
100ns
85ns
100ns
85ns
100ns
85ns
100ns
待机电流（VCC = 2.7V ）
额定值（最大值）
*典型
25°C 40°C 25°C 40°C 70°C 85°C
0.1
0.1
0.1
0.1
0.2
0.2
0.2
0.2
---
1
---
1
---
2
---
2
16
8
16
8
---
---
30
15
活跃
当前
Icc1
（ 2.7V ，典型值）。
40mA
(10MHz)
5mA
(1MHz)
标准
0 ~ +70°C
M5M5W816WG -10L
M5M5W816WG -85H
M5M5W816WG -10H
M5M5W816WG -85LI
I-版
-40 ~ +85°C
M5M5W816WG -10LI
M5M5W816WG -85HI
M5M5W816WG -10HI
*典型参数表示为中心的值
分布，而不是100 ％测试。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
1
A
B
BC1
2
OE
3
A0
4
A1
5
A2
6
S2
DQ9
BC2
A3
A4
S1
DQ1
针
功能
C
DQ10
D
E
F
G
H
GND
DQ11
A5
A6
DQ2
DQ3
A0 A18地址输入
DQ1 DQ16数据输入/输出
S1
S2
W
OE
BC1
BC2
VCC
GND
片选输入1
片选输入2
写控制输入
输出使能输入
低字节（ DQ1 8 ）
高字节（ DQ9 16 ）
电源
供应地
DQ12
A17
A7
DQ4
VCC
VCC
DQ13
GND
A16
DQ5
GND
DQ15
DQ14
A14
A15
DQ6
DQ7
DQ16
北卡罗来纳州
A12
A13
W
DQ8
A18
A8
A9
A10
A11
北卡罗来纳州
概要：
48FHA
NC ：无连接
三菱电机
1
