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512 Kbit的SPI串行闪存
SST25VF512
数据表
状态寄存器
软件状态寄存器提供了有关是否状态
闪存阵列可用于任何读或写能操作
ATION ，无论该设备是可写，而且状态
存储器写保护功能。在内部擦除或
程序运行时，状态寄存器，可以只读到
确定完成正在进行的操作。
表5描述了每个位的功能的软件
状态寄存器。
忙
忙位判断是否存在内部擦除
或编程操作正在进行中。 “1 ”为忙位indi-
凯茨设备正忙于正在进行的操作。 “0”
表示该设备已准备好进行下一个有效运作。
写使能锁存器（ WEL ）
在写使能锁存位指示接口的状态
最终存储器写使能锁存器。如果写使能锁存
位设置为“ 1 ” ，表示该设备是可写。如果
位被置为“0” （复位），则表示该设备没有收件
启用和不接受任何存储器写（编程/
擦除）命令。在写使能锁存位将自动
美云在以下情况下复位：
上电
写禁止（WRDI ）指令完成
字节编程指令完成
自动地址递增（ AAI ）编程
达到最高的内存地址
扇区擦除指令完成
块擦除指令完成
芯片擦除指令完成
块保护（ BP1 ， BP0 ）
块保护（ BP1 ， BP0 ）位定义的大小
存储器区域中，如表4中所定义，为软件提
tected对任何存储器写（编程或擦除）
操作。在写状态寄存器（ WRSR ）指令
作为只要WP ＃编程BP1和BP0位
是高还是块保护锁（BPL）位为0片擦除
才能执行，如果块保护位均为0 。
上电后， BP1和BP0设置为1 。
块保护锁断（ BPL ）
WP ＃引脚驱动为低电平（V
IL
） ，使块保护 -
向下锁定（ BPL ）位。当BPL被设置为1时，它可以防止任何
进一步改变的BPL ， BP1和BP0位。当
WP ＃引脚驱动为高电平（V
IH
） ， BPL位没有任何作用，
它的值是“不关心” 。上电后， BPL位是
重置为0 。
表4 ：
OFTWARE
S
TATUS
R
EGISTER
B
LOCK
P
ROTECTION1
状态
寄存器位
防护等级
0
1
（1/4内存阵列）
2
2
（1/2内存阵列）
3
（全内存阵列）
BP1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
保护
内存区
无
0C000H-0FFFFH
08000H-0FFFFH
00000H-0FFFFH
T4.5 1192
1.默认上电时为BP1和BP0是' 11' 。
2.保护等级1 （ 1/4内存阵列）适用于针对字节
程序，扇区擦除和芯片擦除操作。
它并不适用于块擦除操作。
表5 ：
OFTWARE
S
TATUS
R
EGISTER
位
0
1
2
3
4:5
6
名字
忙
WEL
BP0
BP1
水库
AAI
功能
1 =内部写操作正在进行中
0 =没有内部写操作正在进行中
1 =器件内存写入启用
0 =器件不内存写入启用
指示块写保护目前的水平（见表4 ）
指示块写保护目前的水平（见表4 ）
留作将来使用
自动地址递增编程状态
1 = AAI编程模式
0 =字节编程模式
1 = BP1 ， BP0为只读位
0 = BP1 ， BP0读/写
默认情况下，在加电
0
0
1
1
0
0
读/写
R
R
读/写
读/写
不适用
R
7
BPL
0
读/写
T5.0 1192
2004硅存储技术公司
S71192-06-000
4/04
6
