512 Kbit的SPI串行闪存
SST25VF512
数据表
写使能（WREN ）
写使能（ WREN）指令集将写
使能锁存位为1 ，允许写操作发生。
WREN指令之前，必须先写任何执行
（编程/擦除）操作。 CE＃必须驱动为高电平
WREN指令执行前。
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7
SCK
模式0
SI
最高位
06
高阻抗
1192 F35.6
SO
图11 ：宽
RITE
E
NABLE
（雷恩）S
EQUENCE
写禁止（WRDI ）
在写禁止（WRDI ）指令复位将写
使能锁存位和AAI位为0禁止任何新的写入
操作的发生。 CE ＃必须在驱动为高电平
WRDI指令被执行。
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7
SCK
模式0
SI
最高位
04
高阻抗
1192 F36.6
SO
图12 ：宽
RITE
D
ISABLE
（ WRDI ）S
EQUENCE
启用 - 写状态寄存器（ EWSR ）
启用 - 写状态寄存器（ EWSR ）指令
武器写状态寄存器（ WRSR ）指令和
打开的状态寄存器的改变。启用-直写
状态寄存器指令并没有任何影响，
将被浪费掉了，如果它没有紧跟的直写
2004硅存储技术公司
状态寄存器（ WRSR ）指令。 CE ＃必须驱动
低的EWSR指令之前被输入，并且必须
驱动为高电平EWSR指令执行前。
S71192-06-000
4/04
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