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M29F002T ， M29F002NT ， M29F002B
说明
七个指令被定义为执行读
阵列，自动选择（阅读ElectronicSignature
或阻止ProtectionStatus ） ，程序，块擦除，
芯片擦除，擦除暂停和擦除恢复。
内部P / E.C 。自动处理所有时序
荷兰国际集团和验证的编程和擦除的
operations.The状态寄存器的数据轮询，将触发
GLE ，错误比特可以随时读取，在此期间
编程或擦除，并监控进度
的操作。
指令是由多达六个周期。该
前两个周期中输入一个编码序列与
命令Interfacewhich iscommon所有指令
行动（见表8） 。第三个周期输入
指令建立命令。后续周期
输出处理数据，电子签名或
块保护现状进行读操作。在
为了给更多的数据保护，该指令
系统蒸发散的程序和块或片擦除需要
进一步的指令输入。对于Programinstruction ，
第四个命令周期输入的地址和
数据进行编程。对于擦除指令
（块或片） ，第四和第五个周期输入
擦除确认之前，进一步的编码序列
命令上的第六个周期。一个存储器的擦除
块可能会被暂停，在orderto读取数据
另一个块还是程序数据在另一个块中，
然后重新开始。
当首次加电或者V
CC
瀑布下方
V
LKO
中，命令界面被重置为读
数组。
信号说明
参见图1和表1中。
地址输入（ A0 - A17 ） 。
地址输入端
存储器阵列被写在锁存操作
化片上的下降沿启动E或写
启用W.当A9提高到V
ID
，或者读
ElectronicSignature Manufactureror设备代码，
块保护状态或写块保护
或阻止unprotection的启用取决于
组合在A0，A1， A6 ，A12和A15的水平。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
的输入是数据
存储器阵列或一个COM中进行编程
命令要被写入到C.I。两者都锁定在
芯片的上升沿启动E或写使能
W的输出是从所述存储器阵列的数据，在
电子签名制造商或设备
代码块保护状态或状态
注册数据查询位DQ7 ，触发位DQ6
和DQ2 ，错误位DQ5或擦除定时器位
DQ3 。输出有效时，芯片使能E和
输出使能G为主动。的输出为高
或阻抗当芯片被取消了
输出被禁止，当RPNC处于低
的水平。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能输入激活
存储器控制逻辑，输入缓冲器，解码器
和读出放大器。 高deselectsthe内存
并减少consumptionto备用电源
的水平。 E可也被用于控制写入到
命令寄存器和存储器阵列中，而
W仍然处于较低水平。该芯片使能必须
被迫V
ID
块unprotection的操作过程
化。
输出使能（ G） 。
输出使能的大门
在读通过数据输出缓冲器
操作。当G为高，输出为高电平
阻抗。摹必须强制V
ID
在水平
块保护和unprotection的操作。
写使能（ W） 。
该输入控件写
命令Registerand Addressand Datalatches 。
复位/座临时撤消/无连接
输入（ RPNC ） 。
该RPNC （不适用于
M29F002NT ）输入提供了硬件复位，
保护块（ S）暂时解除保护功能
系统蒸发散。在读或写操作模式下， RPNC引脚可
悬空（不接） ，或在V举行
IH
。复位
该存储器是通过拉动RPNC到V来达到的
IL
为
至少为500ns 。当复位脉冲被给定，如果
记忆是在读或待机模式，这将是
可在50ns的新业务的上涨后
RPNC的边缘。如果内存中的擦除，擦除
挂起或程序模式复位会
为10μs 。 Ahardware重置duringan Eraseor计划
操作将损坏的数据进行编程
或所属部门被删除。
临时块解除保护是通过举办制成
RPNC在V
ID
。在这种状态下先前保护
块可以被编程或擦除。的跃迁
化RPNC从V
IH
到V
ID
一定要慢
为500ns 。当RPNC从V返回
ID
到V
IH
所有
块暂时未受保护将被再次亲
tected 。
V
CC
电源电压。
对于所有的电源
操作（读取，编程和擦除） 。
V
SS
地面上。
V
SS
对于所有电压基准
测量。
设备操作
参照表4，5和6 。
读取。
读操作被用于输出
的存储器阵列，所述电子显的内容
性质，状态寄存器或块保护
状态。这两个芯片使能E和输出使能摹
必须低，以读取的输出
内存。
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